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JANTX2N2222A 参数 Datasheet PDF下载

JANTX2N2222A图片预览
型号: JANTX2N2222A
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内容描述: 小信号双极NPN硅 [SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关
文件页数/大小: 9 页 / 299 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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2N2222A
电气特性(T
A
= 25° ,除非另有说明)
C
断特性
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
( I
C
= 10 mA dc直流电,我
B
= 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(1)
( I
C
= 10
μAdc ,
I
E
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(1)
( I
E
= 10
μAdc ,
I
C
= 0 )
集电极 - 发射极截止电流
( V
CE
= 50伏,V
BE (OFF)的
= 0 V )
集电极 - 基极截止电流
( V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0 )
( V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0, T
A
= 150
°
)
C
发射极 - 基极截止电流
( V
EB
= 4伏)
ON特性
直流电流增益
( I
C
= 100
µA
DC ,V
CE
= 10 VDC )
( I
C
= 1毫安DC ,V
CE
= 10 VDC )
( I
C
= 10 mA dc直流电,V
CE
= 10 VDC )
( I
C
= 150 mA dc直流电,V
CE
= 10 VDC )
(1)
( I
C
= 500 mA dc直流电,V
CE
= 10 VDC )
(1)
( I
C
= 10 mA dc直流电,V
CE
= 10 VDC ,T
J
= -55° )
C
集电极 - 发射极饱和电压
( I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(1)
( I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
(1)
基地 - 发射极饱和电压
( I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(1)
( I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
(1)
符号
V( BR )
首席执行官
V( BR )
CBO
75
V( BR )
EBO
6
I
CES
50
I
CBO
10
10
I
EBO
10
符号
h
FE
50
75
100
100
30
35
V
CE ( SAT )
0.3
1.0
V
BE ( SAT )
0.6
1.2
2.0
VDC
VDC
VDC
VDC
最大
NADC
单位
NADC
μAdc
NADC
VDC
VDC
50
最大
单位
VDC
325
300
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
MSCO275A 98年1月29日
DSW2N2222A < - > ( 33807 )