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2N930 参数 Datasheet PDF下载

2N930图片预览
型号: 2N930
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内容描述: NPN小功率硅晶体管 [NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 57 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N930的Datasheet PDF文件第2页  
技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 253分之19500
器件
2N930
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
价值
45
60
6.0
30
300
600
-55到+200
马克斯。
97
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
0
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
C
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降容2.0毫瓦/
0
C以上牛逼
A
= +25
0
C
2 )线性降容4.0毫瓦/
0
C以上牛逼
C
= +25
0
C
0
TO- 18 *
(TO-206AA)
单位
C / W
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= +25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
I
CBO
分钟。
马克斯。
单位
VDC
10
10
10
5.0
2.0
2.0
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 VDC
V
CB
= 45 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 6.0伏
V
EB
= 5.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 45 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 5.0伏
45
I
EBO
I
CES
I
首席执行官
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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