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2N5109 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N5109
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内容描述: 射频与微波离散小功率三极管 [RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
文件页数/大小: 5 页 / 281 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利, PA
18936-1013
电话:( 215 ) 631-9840
传真: ( 215 ) 631-9855
2N5109
RF &微波离散
小功率三极管
特点
硅NPN , TO- 39封装的VHF / UHF晶体管
1.2 GHz的电流增益带宽积@ 50毫安
最大单向增益= 12分贝(典型值) @ 200 MHz的
1.发射器
2.基
3.收集
TO-39
描述:
硅NPN晶体管,专为VHF和UHF设备。应用包括放大器;预驱动器,驱动器,并
输出级。也适合于振荡器和频率倍增功能。
绝对最大额定值
( TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
IC
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
价值
20
40
3.0
400
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
D
器件总功耗@ T
C
= 75ºC (1)
减免上述25℃
2.5
20
毫瓦/°C的
注意在T 1,器件总功耗
A
=
25℃是1瓦。
MSC1304.PDF 99年10月25日