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2N3866A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N3866A
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内容描述: 射频与微波离散小功率三极管 [RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
文件页数/大小: 6 页 / 147 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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MRF581
MRF581G
MRF581A
MRF581AG
* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层
RF &微波离散
小功率三极管
特点
低噪声 - 2.5 dB的500 MHZ
增益最佳的噪声系数= 15.5分贝@ 500 MHz的
Ftau - 5.0 GHz的@ 10V , 75毫安
高性价比MacroX套餐
万家乐X
描述:
专为高电流,低功耗,低噪声,放大器高达1.0 GHz的。
绝对最大额定值
( TCASE = 25
°
C)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
MRF581
18
30
2.5
200
MRF581A
15
单位
VDC
VDC
VDC
mA
热数据
P
P
D
D
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述50℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储结温范围
-65到+150
最高结温
150
ºC
ºC
2.5
25
1.25
10
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
TSTG
T
JMAX
修订A- 2008年12月
Microsemi的保留更改的权利,恕不另行通知,此处包含的规格和信息
请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。