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2N3439 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N3439
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内容描述: NPN小功率硅晶体管 [NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 368分之19500
器件
2N3439
2N3439L
2N3440
2N3440L
资质等级
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
0
2N3439
350
450
2N3440
250
300
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W/
0
C
0
C
@T
A
= 25
0
C
(1)
@T
C
= 25
0
C
(2)
工作&存储温度范围
1)
7.0
1.0
0.8
5.0
-55到+200
TO- 5 *
2N3439L , 2N3440L
2)
线性降额4.57毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
线性降额28.5毫瓦/
0
Ç对于T
C
> +25
0
C
0
TO- 39 * ( TO205 -AD )
2N3439, 2N3440
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 300伏
V
CE
= 200伏
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
V
( BR )
首席执行官
I
首席执行官
350
250
2.0
2.0
10
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
I
EBO
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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