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2N2907AB 参数 Datasheet PDF下载

2N2907AB图片预览
型号: 2N2907AB
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内容描述: [Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 68 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N2907AB的Datasheet PDF文件第1页  
2N2907A
电气参数(T
A
@ 25 ° C除非另有说明)
°
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
(I
C
= -10 MADC ,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压(I
C
= -10
μAdc ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= -10
μAdc ,
I
C
= 0)
集电极截止电流(V
CE
= -50伏直流)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -50伏直流,我
E
= 0)
o
(V
CB
= -50伏直流,我
E
= 0 , TA = 150℃ )
发射极截止电流(V
EB
= -4伏)
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ,V
CE
= -10VDC )
(I
C
= -1.0 MADC ,V
CE
= -10VDC )
(I
C
= -10 MADC ,V
CE
= -10VDC )
(I
C
= -150 MADC ,V
CE
= -10VDC )(1)
(I
C
= -500 MADC ,V
CE
= -10VDC )(1)
o
(I
C
= -
10mAdc,V
CE
= -10VDC )T
A
= -55 C
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
(I
C
= -150 MADC ,我
B
= -15 MADC )
(I
C
= -500 MADC ,我
B
= -50 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= -150 MADC ,我
B
= -15 MADC )
(I
C
= -500 MADC ,我
B
= -50 MADC )
小信号短路cicuit正向电流传输比大小
(I
C
= -50 MADC ,V
CE
= -20伏直流, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= -10伏直流,我
E
= 0时,在100kHz < ˚F < 1MHz的
输入电容
(V
EB
= -2.0伏,我
C
= 0时,在100kHz < ˚F < 1MHz的
转换速度
开启时间
(V
CC
= -30伏直流,我
C
= -150 MADC ,
I
B1
= -15 MADC )
打开-O FF时间
I
B1
= I
B2
= -15 MADC )
(V
CC
= -6.0伏,我
C
= -150 MADC ,
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CES
I
CBO
-60
-60
-5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-50
-0.01
-10
-50
--
450
--
300
--
VDC
--
--
V
BE ( SAT )
-0.6
--
/h
fe
/
2
C
敖包
--
C
IBO
--
t
ON
--
--
45
ns
--
8.0
30
--
--
pF
pF
--
--
-1.3
-2.6
--
--
-0.4
-1.6
VDC
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
I
EBO
h
FE
--
75
100
100
100
50
50
--
--
--
--
--
--
NADC
--
V
CE ( SAT )
t
关闭
--
300
ns
(1)
脉冲测试:脉冲宽度
300毫秒,占空比
2.0%.
数据表# MSC0276A 97年5月19日