CPT20080-CPT200100
A
R
G
底板
A =共阳极
B
Q
N
W
底板
共阴极
U
C
H
V
E
注意事项：
底板：镀镍
铜
底板
D =倍增
肖特基PowerMod
暗淡。英寸
分钟。
A
B
C
E
F
G
H
N
Q
R
U
V
W
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
笔记
马克斯。
F
U
---
3.630
0.800
0.700
0.630
---
0.130
0.120
0.510
0.490
1.375 BSC
---
0.010
---
---
0.275
0.290
3.150 BSC
0.600
---
0.312
0.340
0.180
0.195
---
92.20
17.78
20.32
---
16.00
3.30
3.05
12.45
12.95
34.92 BSC
---
0.25
---
---
6.99
7.37
80.01 BSC
15.24
---
7.92
8.64
4.57
4.95
1/4-20
DIA 。
DIA 。
Microsemi的
目录编号
CPT20080*
CPT20090*
CPT200100*
工业
产品型号
203CNQ080
MBR12080CT
MBR20080CT
203CNQ100
MBR120100CT
MBR200100CT
工作峰值重复峰值
反向电压反向电压
80V
90V
100V
80V
90V
100V
肖特基势垒整流器
保护环保护
200安培/ 80 〜100伏特
175°C结温
反向能量测试
符合RoHS
*添加一个后缀为共阳极，D为倍增
电气特性
I F （ AV ） 200安培
每包平均正向电流
I F （ AV ）百安培
每站平均正向电流
我FSM
2000安培
每站最大浪涌电流
最高重复反向电流每腿IR （ OV ） 2安培
VFM
0.98伏特
每站最大峰值正向电压
VFM
0.86伏特
每腿典型正向电压
我RM
75毫安
最大峰值反向每个支路电流
我RM
4.0毫安
最大峰值反向每个支路电流
CJ
3000 pF的
每腿典型结电容
TC = 135 ° C，方波，R 0JC = 0.20 ° C / W
TC = 135 ° C，方波， R0JC = 0.40 ° C / W
8.3ms的半正弦波， T J = 175℃
F = 1 kHz时， 25 ° C， 1微秒的方波
我FM = 200A ： J = 25 ° C *
T
我FM = 200A ： J = 175 ° C *
T
VRRM ， TJ = 125 ° C *
VRRM ， TJ = 25°C
VR = 5.0V ， TC = 25°C
*脉冲测试：脉冲宽度300μsec ，占空比2 ％
热和机械特性
储存温度范围
工作结点温度范围
每站最大热阻
每包最大热阻
典型热阻（脂）
终端扭矩
安装底座扭矩（外洞）
安装底座扭矩（中心孔）
中心孔必须先扭转
重量
T英镑
TJ
ř OJC
ř OJC
ř OCS
-55°C至175℃
-55°C至175℃
0.40 ° C / W结到管壳
0.20 ° C / W结到管壳
0.08 ° C / W案例下沉
35-50英寸磅
30-40英寸磅
8-10英寸磅
2.8盎司（ 75克）典型
www.Microsemi.com
2010年1月 - 第4版
MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
