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型号: 1N4150
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内容描述: 硅开关二极管DO- 35玻璃封装 [Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package]
分类和应用: 二极管开关
文件页数/大小: 1 页 / 76 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
   
硅开关二极管
1N4150
应用
1
1N
Nor1
or
1N4150-1
1N
DO- 35玻璃封装
适用于一般用途的应用,其中一个控制着
特性和快速开关速度是重要的。
特点
DO- 35玻璃封装
香格里拉DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀™
1.0"
对于无故障的可焊性
25.4 mm
m m
(分)
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
全部批准MIL-S-二百三十一分之一万九千五
提供多达JANTXV -1水平
"S"级筛选可用于电源控制制图
0.120-.200"
3.05-5.08-
DIA 。
0.06-0.09"
15 - . 8m m
. 322
米喜ü米镭TI的s
m
n
豌豆K I
nvers ê沃尔克é
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流(T
PEAK
= 1秒)。
BKC功率耗散T
L
=50
o
C,L = 8"分之3从主体
工作温度范围
存储温度范围
El
ectri升茶岭cteri吨CS @ 25
o
C
ca
si
FORW一个RD沃尔克è下降@ I = 1.0μm的
F
FORW一个RD沃尔克è下降@ I = 10m的
F
FORW一个RD沃尔克è下降@ I = 50微米的
F
FORW一个RD沃尔克è下降@ I = 10 0米
F
FORW一个RD沃尔克è下降@ I = 20 0为m的
F
REVERS Ë LEA K A克é当前作@ V
R
= 50 V
布雷亚ķ道琼斯ñ佛拉克E @ I = 0 0.1米一
t
r
CA PA CI NCE @ V
R
= 0 V , F = 1米赫兹
ta
REVERS ê恢复恬E(注1)
REVERS ê恢复恬E(注2,3 )
FORW一个RD恢复恬E(注4 )
SYM BOL
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
r
PIV
C
T
t
rr
t
rr
V
fr
SYM B 0 1
PI
V
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
Op
T
St
宓I U米
nm
0 .54
0 .66
0 .76
0 .80
0 .87
75
VA L E
u
75 (M in。)的
200
400
0.5
500
-65到+200
-65到+200
米喜ü米
m
0 .62
0 .74
0 .86
UNT
i
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
o
C
UNT
i
µA
pF
纳秒ê (C S)
纳秒ê (C S)
纳秒ê (C S)
0 .92
1.0
0 .1 (10 0 @ 150
2.5
4.0
6.0
10
o
C)
注1 :每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 10在200 mA ,R
L
= 100欧姆,恢复到0.1 。如果。
注2 :每个方法4031 -A与我
F
= I
R
= 200〜 400毫安中,R
L
= 100欧姆,恢复到0.1 。如果。
注3 :每个方法4031 -A与我
F
= 10微安,IR = 1.0毫安,恢复到0.1毫安。
注4 :每个方法4026与我
F
= 200毫安,铱= 1.0毫安,恢复到0.1毫安。
6湖街 - 劳伦斯, MA 01841
电话: 978-681-0392 - 传真: 978-681-9135