过时的
2，4的MEG X 72
无缓冲DIMM的DRAM
产品编号
EDO操作模式
产品型号
MT9LD272AG - 5 X
MT9LD272AG - 6 X
MT18LD472AG - 5 X
MT18LD472AG - 6 X
CON组fi guration
2梅格X 72 ECC
2梅格X 72 ECC
4梅格X 72 ECC
4梅格X 72 ECC
速度
50ns
60ns
50ns
60ns
EDO页模式
EDO页模式，由“X”的版本指定，是一个
加速快，页面模式的周期。主研华
EDO的踏歌是数据输出的可用性，即使CAS ＃
追溯到HIGH 。 EDO提供CAS ＃预充电时间
(
t
CP）的发生，而不输出数据将会无效。这
消除CAS ＃输出控制提供了流水线
读取。
FAST- PAGE -MODE模块传统转向
输出缓冲器关闭（高Z ）用的上升沿
CAS ＃ 。 EDO -页面模式的DRAM像操作为快
页面模式的DRAM ，除了数据将保持有效，或
生效后， CAS ＃在读操作期间变为高电平，亲
vided RAS ＃和OE ＃保持低电平。如果OE ＃的脉冲，而
RAS ＃和CAS ＃都为低电平时，数据切换，从有效数据
到高阻并回到相同的有效数据。如果OE ＃翻转
或在CAS ＃脉冲变为高电平，而RAS ＃遗体
低，数据将过渡到并保持高阻。
在一个应用程序中，如果DQ的输出是线或运算，
OE＃必须被用于禁止的DRAM空闲银行。 Alterna-
疑心，在CAS ＃高脉冲WE＃的闲置银行
时间也将高阻抗输出。独立的OE ＃
控制，输出后会禁用
t
关，这是参考
从RAS＃或CAS号的上升沿，取转制
去年发生。 （请参阅4梅格×4 [ MT4LC4M4E8 ] DRAM
数据手册EDO functional-其他信息
性。 ）
FPM操作模式
产品型号
MT9LD272AG-6
MT18LD472AG-6
CON组fi guration
2梅格X 72 ECC
4梅格X 72 ECC
速度
60ns
60ns
概述
该MT9LD272A （X）和MT18LD472A （Ⅹ）是随机
组织在X72访问16MB和32MB的记忆
配置。他们是专门处理从操作
3V至3.6V的低电压存储器系统。
在读或写周期，每个位是唯一
通过21/22的地址位，它们是烯寻址
羊羔11位（ A0 -A10 ）在RAS ＃时间和10/11位（ A0〜
A10 ）的CAS ＃时间。
读写周期选择与WE＃
输入。在WE ＃使然逻辑高电平阅读模式，而
逻辑低电平WE＃使然写模式。在写
周期中，数据输入（ D）的WE＃或下降沿锁存
CAS ＃ ，最后的为准。早期的写操作
当WE＃被拉低之前CAS ＃下降。一晚
写或读 - 修改 - 写操作发生时， WE＃瀑布
经过CAS＃被拉低。在早期写周期，
该数据输出（ Q）将保持高阻不管
的OE ＃状态。在后写入或读 - 修改 -
写周期， OE ＃必须采取HIGH禁用数据 -
之前应用的输入数据输出。如果后写入或
读 - 修改 - 写操作试图在保持OE ＃
低，也不会发生写，以及数据输出将驱动
读取从所访问的位置的数据。
刷新
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止内存
周期和减小芯片的电流来降低待机水平。
此外，该芯片是在预处理的下一个周期
在RAS ＃高电平时间。正确的存储单元数据的预
通过保持权力和执行任何RAS ＃服
周期（读，写）或RAS ＃刷新周期（ RAS ＃ -
ONLY ， CBR或隐藏） ，这样的RAS ＃所有组合
地址（ A0 - A9 / A10）执行至少每
t
REF ，
不管顺序。在CBR刷新周期将在 -
voke自动RAS＃ AD-内部刷新计数器
换药。
快速页模式
FAST- PAGE模式操作允许更快的数据操作
行动（读或写）在一个行地址定义
页边界。快速页面模式的周期是永远
开始与一个行地址选通，在由RAS＃ ，接着
由列地址选通，在由CAS＃ 。其他同事
UMNS可以通过提供有效的列存取
地址选通CAS＃和控股RAS ＃为低，从而
执行速度更快的存储器周期。返回RAS ＃高
终止快速页面模式操作。
串行存在检测操作
该模块系列采用串行存在检测
（ SPD ） 。该SPD功能是使用2048位的实现
EEPROM 。这非易失性存储设备中包含256
字节。第128个字节可以由美光被编程为
识别模块类型和各种组织的DRAM
和定时参数。剩下的128字节的存储空间
可用于由客户使用。系统读取/
主（系统逻辑）之间的写操作和
通过标准的IIC从EEPROM器件（ DIMM ）发生
公交车使用的DIMM的SCL （时钟）和SDA （数据）信号，
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©1998,
美光科技公司
2 ， 4梅格X 72无缓冲DIMM的DRAM
DM60.p65 - 修订版6/98
2
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
