512MB ， 1GB （ 64位）
200 -PIN DDR SODIMM
小外形
DDR SDRAM DIMM
特点
• 200针，小外形，双列直插式存储器
模块（ SODIMM ）
•快速数据传输率： PC1600 ， PC2100 ， PC2700和
•采用200吨/秒， 266吨/秒，或333 MT / s的DDR
SDRAM组件
• 512MB （梅格64 ×64 ） ， 1GB （ 128梅格×64 ）
• V
DD
= V
DD
Q = + 2.5V
• V
DDSPD
= + 2.3V至+ 3.6V
• 2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中央重点
与写入的数据一致
•内部，流水线双倍数据速率（ DDR ）
体系结构;每个时钟周期2的数据访问
•双向数据选通（ DQS ）发送/
有数据即，源同步数据接收
CAPTURE
•差分时钟输入CK和CK ＃
•四个内部器件银行的并发操作
•可编程突发长度： 2 ， 4或8
•自动预充电选项
•自动刷新和自刷新模式
• 7.8125μs最大平均周期刷新间隔
•串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
•可编程只读CAS延迟
•黄金边缘接触
MT16VDDF6464H - 512MB
MT16VDDF12864H - 1GB
对于最新的数据资料，请参考美光
â
WEB
网站：
图1 ： 200针SODIMM （ MO- 224 ）
512MB模块
1GB模块
选项
记号
G
•包
200针SODIMM （标准）
200针SODIMM （无铅）
•频率/ CAS延迟
167兆赫（ 333 MT / s）的CL = 2.5
133兆赫（ 266 MT / s）的CL = 2
133兆赫（ 266 MT / s）的CL = 2
133兆赫（ 266 MT / s）的CL = 2.5
100兆赫（200吨/秒） CL = 2
注意：
Y
-335
-262
-26A
-265
-202
1.联系工厂无铅的精良可用性
UCTS 。
2，CL = CAS （ READ ）的延迟。
表1：
地址表
512MB
1GB
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
64梅格×8
2K （ A0 -A9 ， A11 ）
2 (S0#, S1#)
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
32梅格×8
1K （ A0 -A9 ）
2 (S0#, S1#)
刷新计数
设备寻址的行
设备寻址银行
设备CON组fi guration
设备列寻址
模块寻址排名
09005aef80a646bc
DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN
1
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