512MB ， 1GB （ 64位）
200 -PIN DDR SODIMM
表5：
引脚说明
符号
WE＃ ，
CAS ＃ ， RAS ＃
CK0 ， CK0 ＃
CK1 ， CK1 ＃
TYPE
输入
输入
描述
命令输入： RAS ＃ ， CAS ＃和WE＃ （以及带有S ＃ ）定义
所输入的命令。
钟： CK ， CK ＃是差分时钟输入。所有的地址和
控制输入信号进行采样上的交叉
CK的上升沿，和CK ＃下降沿。输出数据
（DQS和DQS ）是参照CK和CK ＃的交叉点。
时钟使能： CKE高激活和CKE低停用
内部时钟，输入缓冲器和输出驱动器。以CKE
LOW提供了预充电断电和自刷新
操作（所有设备闲置的银行） ，或ACTIVE POWER- DOWN
（行活跃于任何设备的银行） 。 CKE是同步的
省电模式的进入和退出，以及自刷新条目。 CKE
是异步的自刷新退出和禁用
输出。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器（不包括CK，CK ＃和CKE ）是
在断电期间禁用。输入缓冲器（不包括CKE ）
在自刷新被禁用。 CKE是SSTL_2输入，但
将检测到的LVCMOS电平低VDD应用后
直到CKE先拉高。后CKE拉高，这
只变成一个SSTL_2输入。
芯片选择：• ＃启用（注册LOW ）和禁用
（注册HIGH ）命令解码器。所有的命令都
当S ＃注册HIGH蒙面。 S ＃被认为是部分
的命令代码。
银行地址： BA0和BA1确定到设备的银行
ACTIVE ， READ，WRITE或预充电命令正在
应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，
及列地址和自动预充电位（ A10 ），用于
读/写命令，以选择一个位置出来的
在相应的设备组存储器阵列。 A10采样
在预充电命令决定是否
预充电适用于一台设备银行（ A10低，设备库
由BA0 ， BA1 ）或所有设备银行（ A10 HIGH ）选择。该
地址输入也是一个模式中提供了操作码
寄存器设置命令。 BA0和BA1确定哪种模式
寄存器（模式寄存器或扩展模式寄存器）加载
在加载模式寄存器命令。
SSTL_2参考电压。
串行时钟用于在线检测： SCL用于同步的
存在检测的数据传输和从模块。
在线检测地址输入：这些引脚用来
配置在线检测设备。
串行存在侦测数据： SDA是用于双向引脚
传送地址和数据移入和移出presence-的
检测模块的一部分。
数据写面膜。 DM LOW允许写操作。 DM高
块写操作。 DM线不影响阅读
操作。
引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表3页的详细信息
PIN号码
118, 119, 120
35, 37, 158, 160
95, 96
CKE0 ， CKE1
输入
121, 122
S0#, S1#
输入
116, 117
BA0 ， BA1
输入
99, 100, 101, 102, 105,106,
107, 108, 109, 110, 111, 112,
115
A0-A12
输入
1, 2
195
194, 196, 198
193
V
REF
SCL
SA0-SA2
SDA
输入
输入
输入
输入/
产量
输入
12, 26, 48, 62, 134, 148, 170,
184
DM0-DM7
09005aef80a646bc
DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN
4
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