512MB ， 1GB ， 2GB ， 4GB （ 64位， DR ） 240针DDR2 UDIMM
特点
DDR2 SDRAM UDIMM
MT16HTF6464AY - 512MB
MT16HTF12864AY - 1GB
MT16HTF25664AY - 2GB
MT16HTF51264AY - 4GB
特点
•
240针，无缓冲双列直插存储器模块
•
快速数据传输率： PC2-8500 ， PC2-6400 ，
PC2-5300 ， PC2-4200 ， PC2-3200或
•
512MB （梅格64 ×64 ） ， 1GB （ 128梅格×64 ） ，
2GB （ 256梅格×64 ） ， 4GB （ 512梅格×64 ）
•
V
DD
= V
DDQ
1.8V
•
V
DDSPD
= 1.7–3.6V
•
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
•
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
•
4N位预取架构
•
多个内部器件银行并发
手术
•
可编程CAS延迟（ CL ）
•
Posted CAS附加延迟（ AL ）
•
写延时=读延时 - 1
t
CK
•
可编程的突发长度（ BL ） ： 4或8
•
可调节的数据输出驱动强度
•
64毫秒， 8192周期刷新
•
片上端接（ ODT ）
•
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
•
金缘接触
•
双列
图1 ： 240针UDIMM （ MO- 237 R / C B和E ）
模块高度： 30.0毫米（ 1.18in ）
选项
•
工作温度
–
商用（0°C
≤
T
A
≤
+70°C)
–
工业（ -40°C
≤
T
A
≤
+85°C)
•
包
–
240针DIMM （无铅）
•
频率/ CL
–
1.875ns @ CL = 7 （ DDR2-1066 ）
–
为2.5ns @ CL = 5 （ DDR2-800 ）
–
为2.5ns @ CL = 6 （ DDR2-800 ）
–
为3ns @ CL = 5 （ DDR2-667 ）
–
3.75ns @ CL = 4 （ DDR2-533
–
5.0ns @ CL = 3 （ DDR2-400 ）
注意事项：
记号
无
I
Y
-1GA
-80E
-800
-667
-53E
-40E
1.联系美光工业温度
模块产品。
2，CL = CAS （ READ ）的延迟。
3.仅在2GB ，版本E器件。
4.不适用于512MB ， 4GB模组密度。
5.不推荐用于新设计。
表1 ：关键时序参数
速度
GRADE
-1GA
-80E
-800
-667
-53E
-40E
工业
命名法
PC2-8500
PC2-6400
PC2-6400
PC2-5300
PC2-4200
PC2-3200
数据速率（ MT / s）的
CL = 7
1066
CL = 6
800
800
800
–
–
–
CL = 5
667
800
667
667
–
–
CL = 4
533
533
533
553
553
400
CL = 3
400
400
400
400
400
400
t
RCD
t
RP
t
RC
（纳秒）
13.125
12.5
15
15
15
15
（纳秒）
13.125
12.5
15
15
15
15
（纳秒）
58.125
57.5
60
60
55
55
PDF ： 09005aef80f09084
htf16c64_128_256x64ay.pdf - 启示录摹3/10 EN
1
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