过时的
4,8的MEG ×36
奇偶DRAM的SIMM
电容
参数
输入电容： A0 -A10
输入电容： WE＃
输入电容： RAS0 ＃ ， ＃ RAS1 ， RAS2 ＃ ， RAS3 ＃
输入电容： CAS0 ＃ ， CAS1 ＃ ， ＃ CAS2 ， CAS3 ＃
输入/输出电容： DQ1 - DQ8 ， DQ10 - DQ17 ， DQ19 - DQ26 ， DQ28 - DQ35
输入/输出电容： DQ9 ， DQ18 ， DQ27 ， DQ36
C
I
1
C
I
2
C
I
3
C
I
4
C
IO
1
C
IO
2
70
94
50
25
10
16
最大
SYMBOL 16MB
32MB
140
188
50
50
18
28
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
2
2
2
2
2
2
AC电气特性
（注：5， 6，7， 8，9， 10，11， 12）， （Ⅴ
CC
= +5V
±10%)
AC特性
参数
从列地址访问时间
列地址保持时间（参考RAS ＃ ）
列地址设置时间
行地址建立时间
从CAS ＃访问时间
列地址保持时间
CAS ＃脉冲宽度
CAS ＃保持时间（ CBR刷新）
CAS在低Z ＃输出
CAS ＃预充电时间
从CAS＃预充电时间访问
CAS ＃到＃ RAS预充电时间
CAS ＃保持时间
CAS ＃建立时间（ CBR刷新）
写命令CAS ＃交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出缓冲关断延迟
FAST-页面模式读取或写入周期时间
从RAS ＃访问时间
RAS ＃到列地址的延迟时间
行地址保持时间
RAS ＃脉冲宽度
RAS ＃脉冲宽度
（快
页面模式）
随机读或写周期时间
RAS ＃到CAS ＃延迟时间
READ命令保持时间（参考CAS ＃ ）
READ命令设置时间
刷新周期（2048次）
RAS ＃预充电时间
RAS ＃到CAS ＃预充电时间
-6
符号
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHR
t
CLZ
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWL
t
DH
t
DS
t
关闭
t
PC
t
RAC
t
拉德
t
RAH
t
RAS
t
RASP
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
RP
t
RPC
民
45
0
0
15
10
15
15
3
10
10
60
10
15
10
0
3
35
15
10
60
60
110
20
0
0
40
0
10,000
最大
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
笔记
4
21
13
35
4
18
18
17, 21
15
60
15
10,000
125,000
14
16
32
4 ， 8梅格×36奇偶DRAM的SIMM
DM45.pm5 - 修订版3/97
6
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„1997,
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MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
