M58BW016DT ， M58BW016DB ， M58BW016FT ， M58BW016FB
描述
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描述
该M58BW016DT ， M58BW016DB ， M58BW016FT和M58BW016FB是16兆位非易失
可电在块级进行擦除和编程挥发性闪存
在系统使用的是2.7 V至3.6 VV在双字基础
DD
供给的电路和一个
V
DDQ
供给下降到2.4V时的输入和输出缓冲器。可选的12 V V
PP
供应
可用于提供快速编程和擦除在限定的时间和数量
编程/擦除周期。
该设备支持异步（闩锁控制，页面读取）和同步总线
操作。同步短脉冲串读接口允许控制的高数据传输速率
由脉冲串时钟，K信号。它能够绽放数据的固定或无限长的。该
突发类型，等待时间和长度可被构造并且可以容易地适应于大
各种系统时钟频率和微处理器。所有的写操作是异步的。上
电存储器默认为与异步总线读取模式。
该器件具有一个引导块架构的64千位8参数块阵列
每31主的每512千位的块。在M58BW016DT和M58BW016FT的
参数块位于该地址空间的顶部而在M58BW016DB
和M58BW016FB ，它们位于底部。
编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。一个片
芯片编程/擦除控制器简化了编程的过程中或擦除存储器
通过采取所有需要更新的内存专项行动的护理
内容。一个程序或擦除操作的结束，可以检测任何错误条件
确定在状态寄存器中。控制存储器所需要的命令集是
符合JEDEC标准相一致。
擦除可以以暂停执行或者在任何其它块读取或程序，并
然后重新开始。程序可以被暂停，以便在任何其他的块，然后读出的数据
恢复。每个模块进行编程和擦除超过10万次。
在上电期间所有块保护。
该M58BW016DT ， M58BW016DB ， M58BW016FT和M58BW016FB具有两个不同的
块级别的保护，以避免不必要的编程/擦除操作：
WP引脚提供了硬件保障两个参数块和所有的
主要模块
所有的编程或擦除操作时复位， RP ，保持低被封锁。一
复位/掉电模式时输入的RP输入为低电平。在这种模式下的功率
消耗比通常待机模式下，该设备处于写保护状态
和二者的状态和突发配置寄存器均被清零。一个恢复时间是
当反相输入为高要求。
内存在一个PQFP80 （14 ×20毫米）和LBGA80 （10 × 12mm）中封装。
存储器被提供与所有擦除的位（设置为' 1'） 。
在本文件中， M58BW016DT ， M58BW016DB ， M58BW016FT和
除非另有规定M58BW016FB将被称为M58BW016 。
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