M58BW016DB M58BW016DT
M58BW016FT M58BW016FB
16兆位( 512千位×32 ,引导块,爆)
3 V电源闪存
特点
电源电压
– V
DD
= 2.7 V至3.6 V的编程,擦除
和阅读
– V
DDQ
= V
DDQIN
= 2.4 V至3.6 V的I / O
缓冲器
– V
PP
= 12 V快速程序(可选)
高性能
- 访问次数: 70 , 80纳秒
- 56 MHz的有效的零等待状态突发读取
- 同步突发读
- 异步页读
硬件块保护
- WP引脚写了2最外层的保护
参数块和所有主要模块
- RP引脚为写保护所有的块
优化外商直接投资驱动程序
- 快速编程/擦除暂停延时
时间< 6微秒
- 通用闪存接口
内存块
- 8参数块(顶部或底部)
- 31块为主
低功耗
- 5 μA典型深掉电
- 60 μA的典型待机M58BW016DT / B
150 μA的典型待机M58BW016FT / B
- 自动待机异步后
读
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 顶级设备代码: 8836h
- 底设备代码: 8835h
100多K的写入/擦除循环+ 20年的数据
保持率(最小)
超过1M的写入可靠性高的水平/擦除
循环持续
PQFP80 ( T)
LBGA
LBGA80 10 ×12平方毫米
提供RoHS封装
2011年7月
转18
1/70
www.numonyx.com