M25P20串行闪存的嵌入式存储器
SPI模式
图4 ： Bus Master，和内存上的SPI总线器件
VSS
VCC
R
SDO
SPI接口与
（ CPOL ， CPHA ） =
（0 ，0）或（1， 1）
SDI
SCK
C
SPI总线主控器
DQ1 DQ0
VCC
VSS
C
DQ1
DQ0
VCC
VSS
C
DQ1 DQ0
VCC
VSS
R
CS3
CS2
CS1
S#
SPI存储器
设备
R
SPI存储器
设备
R
SPI存储器
设备
W#
HOLD ＃
S#
W#
HOLD ＃
S#
W#
HOLD ＃
注意事项：
1.写保护（ W＃ ）和HOLD ＃必须驱动为高电平或低电平适当。
2.电阻器（R） - 确保存储装置没有被选中，如果总线主叶
HIGH -Z S ＃线。
3.总线主机可能进入的状态下，所有的I / O都HIGH -Z在同一时间;对于应试
PLE ，当总线主机被复位。因此，将C必须被连接到一个外部上拉
下拉电阻，这样，当所有的I / O都HIGH -Z ，S ＃被拉高，而C被拉低。
这确保了使得S ＃和C不同时，而变为高电平
t
SHCH要求一
换货满足。
4. R的典型值为100 kΩ的，假设的时候一定R ×C
p
(C
p
=寄生
总线线路的电容）比的时间短，在此期间总线主叶
SPI总线HIGH -Z 。
5.示例：鉴于ç
p
= 50 pF的（R ×C
p
= 5μs),
该应用程序必须确保总线
主决不会脱离其SPI总线高阻模式的时间段超过5μs的短。
PDF ： 09005aef8456656e
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