恒忆
®
嵌入式闪存（ J3 65 nm）的单细胞每比特（ SBC ）
2.0
功能概述
J3的65纳米SBC系列包含组织所有的高密度存储器
以下配置：
•16 MB或8兆瓦（ 128兆） ，组织为一百- 28 128 KB擦除
块。
•8 MB或4兆瓦（ 64兆） ，组织为64 128 KB擦除块。
•4 MB或2兆瓦（ 32兆） ，组织为32 128 KB擦除块。
这些设备可被访问的8位或16位的字。看
图1中， “内存块
第11页上的图32 ， 64 ， 128 - Mbit的“
对于进一步的细节。
128位保护寄存器有多种用途，其中包括独特的flash设备
J3的65纳米SBC设备包括新的安全功能是不可用的
（前） 0.13微米版本的J3系列。这些新的安全功能防止
改变的代码，通过不同的保护方案，可以实现基于
用户的要求。
J3的65纳米SBC优化的架构和接口极大地提高读
通过支持页面模式读取性能。这种阅读模式是理想的非时钟
内存系统。
它的通用闪存接口（ CFI ）允许用于整个软件算法
设备的家庭。这允许独立于设备的，符合JEDEC的ID无关，并
对于指定的闪光装置正向和反向兼容的软件支持
家庭。闪存厂商可以在他们现有的接口规范进行长期
兼容性。
可扩展指令集（ SCS ）允许一个单一的，简单的软件驱动程序中的所有主机
系统的所有SCS兼容的闪存设备，独立的系统 - 工作
级封装（例如，存储卡， SIMM ，或直接到板位置） 。另外，
SCS提供最高的系统/设备的数据传输速率和最大程度地减少设备和
系统级的实施成本。
A命令的用户界面（CUI）作为系统处理器之间的接口
并且该装置的内部操作。写到崔有效的命令序列
启动设备的自动化。内部写状态机（ WSM ）自动
执行必要的算法和定时块擦除，编程，和锁定位
配置操作。
块擦除操作擦除的设备的128 -KB的块中的一个通常是一个内
第二，独立于其他块。每个块可独立擦除100000
次。块擦除挂起模式允许系统软件暂停块擦除到
从任何其它块的读取或程序数据。同样，程序暂停允许系统
软件暂停编程（字节/字方案，并写入到缓冲区操作）
读取数据，或从一个没有被暂停的任何其他块执行代码。
每个器件集成了256字节（ x8模式）或256字（ X16写缓冲器
模式），以允许优化编程性能。通过使用写缓冲器的数据是
在缓冲液中的增量编程更有效率。
存储器块是有选择地和单独地可锁定的系统内。单个模块
锁使用块锁定位锁定和解锁块。块锁定位闸块擦除
和编程操作。锁定位配置操作设置和清除锁定位（使用
设置块锁定位和清除块锁定位命令） 。
2011年1月
208032-03
数据表
9
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
