512MB， 1GB，2GB ： P30-65nm
概述
概述
Micron的并行NOR闪存是最新一代的闪存devi-
CES 。优点包括更密度在更小的空间，高速接口装置，和支持
端口，用于代码和数据的存储。其特点包括高性能同步爆
阅读模式，快速异步访问时间，低功耗，灵活的安全选项，
三种行业标准封装选择。该产品系列采用米 - 制造
cron的65nm工艺制程。
该NOR闪存装置提供高性能，在一个16位数据总线的低电压。
个别地擦除存储块的大小，以获得最佳的代码和数据的存储。
在初始上电或复位时的返回，设备默认为异步页级
模式读取。配置读取配置寄存器使能同步突发
模式读取。在同步脉冲串模式下，输出数据与用户支持同步
合股时钟信号。等待信号提供了方便CPU到闪存的同步。
除了增强的体系结构和接口，该设备采用了技
术，能够快速的工厂编程和擦除操作。专为低电压
年龄系统，该设备支持与V读操作
CC
在低电压，并
ERASE和V计划行动
PP
在低电压或V
PPH
。缓冲恩
hanced工厂编程（ BEFP ）提供最快的闪存阵列编程per-
formance与V
PP
在V
PPH
，这增加了工厂的吞吐量。随着V
PP
在低voltag-
ES ，V
CC
和V
PP
可以绑在一起的简单，超低功耗设计。此外
电压的灵活性，专用V
PP
连接提供了完整的数据保护时，
V
PP
≤
V
PPLK
.
一个命令的用户界面系统处理器和所有接口之间的接口
该设备的最终操作。该设备自动执行算法和时序
必要的块擦除和编程英格斯。通过状态寄存器显示ERASE或处
GRAM完成和可能发生的任何错误。
行业标准的命令序列调用编程和擦除自动化。
每次擦除操作将擦除一个块。擦除挂起功能使系统软
洁具暂停擦除周期到另一个块读取或程序数据。程序可持
挂起使系统的软件编程暂停读取其他位置。数据
在增量字（16位）进行编程。
保护寄存器使能，可用于在 - 唯一的设备标识
折痕系统的安全性。个别块锁定功能提供零延迟块
锁定和解锁。该装置包括通过密码访问加强保护;
这一新功能支持写入和/或读取用户定义的块访问保护。在
此外，该设备还提供了全设备的OTP安全功能。
PDF ： 09005aef845667b3
p30_65nm_MLC_512Mb - 1gb_2gb.pdf - 版本B 12/13 EN
7
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2013美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
