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BD35395FJ-M

BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET,漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计,实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET,需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度,本产品拥有独立的基准输入引脚(VDDQ)和独立的反馈引脚(VTTS),实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7
驱动动态存储器双倍数据速率稳压器
0 ROHM

STMFSC3D1N08M7

MOSFET - PowerTrench®, N-Channel, Dual Cool®, Shielded Gate, 80 V, 110 A, 3.1 mΩ
0 ONSEMI

GRM022R71A102KA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1552C2A4R1CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM155R71H391KA37#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDP3651U

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ
局域网开关脉冲晶体管
0 ONSEMI

GJM0335G2A7R4DB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

RGW00TS65DHR

RGW00TS65DHR是以高速开关为特点的IGBT。适合车载/非车载充电器、DC/DC转换器、PFC、工业用变频电机等应用。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。RGTV/RGW系列是消除了IGBT的低导通损耗及高速开关特性两者此消彼长关系的高效系列。并且实现了顺畅的软开关,降低了开关时的电压过冲,有助于大幅降低设计负担。
开关电机双极性晶体管功率因数校正电视转换器
0 ROHM

BSZ070N08LS5

英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低,降低开关损耗,而不影响导通损耗。改进品质因数,支持在高开关频率下运行。此外,逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th)),使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
开关无线驱动控制器电信微控制器栅极
0 INFINEON

GRM1882C1E621GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRT0335C2A110JA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

PMEG10020ELR

100 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifierProduction
功效光电二极管
0 NEXPERIA

GCG1550C1H2R2CA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0335C1H4R1WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195G2E9R5CB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA