恒忆
®
P33-65nm闪存
128兆，每单元64 - Mbit的单位（ SBC ）
数据表
产品特点
高性能：
- 为60ns ，方便BGA初始访问时间
- 为70ns的TSOP初次访问时间
- 25ns的8字异步页读
模式
- 52MHz的零等待状态，为17ns时钟用于─
数据输出同步突发读取模式
- 4-， 8-，16- ，和连续Word选项
突发模式
- 在1.8MByte / s的3.0V缓冲编程
（典型值）用256字缓冲区
- 在缓冲增强工厂编程
3.2MByte /秒（典型值），使用256个字的缓冲区
架构：
- 非对称封闭架构
- 四个32 - K字节的参数块：顶部或
底部结构
- 128 KB的主要模块
- 空白检查，以核实擦除块
电压和功率：
— V
CC
（核心）电压： 2.3V - 3.6V
— V
CCQ
（ I / O）电压： 2.3V - 3.6V
- 待机电流： 35μA （典型值）为64兆比特，
50μA （典型值）为128兆位
- 连续同步读取电流：
23毫安（典型值） ，在52兆赫
安全性：
- 一次性可编程寄存器：
- 64 OTP位，编程的独特
由恒忆信息
- 2112 OTP位，可供客户
程序设计
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绝对的写保护： V
PP
= V
SS
电源转换擦除/编程锁定
个别零延迟块锁定
单个块锁断功能
密码访问功能
软件：
- 为20μs （典型值）计划暂停
- 为20μs （典型值）擦除暂停
- 基本命令集和扩展功能
接口（EFI ）命令集兼容
- 通用闪存接口能够
密度和包装：
- 56引脚TSOP封装（ 128兆， 64兆）
- 64 - 易球BGA封装（ 128兆位，64
兆位）
- 16位宽的数据总线
质量和可靠性：
- JESD47E标准
??工作温度： ？ 40 ° C至+ 85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 65纳米制程技术
数据表
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2011年7月
订单号： 208034-04
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
