数据表
HAL855
当没有命令检测或处理，其
电源电压推荐工作范围内
范围的PWM或双相-M的输出使能。
有可能多个传感器逐个如果编程
它们是平行于同一电源和接地线。
每个传感器的选择是通过它的输出引脚进行。
内部温度补偿电路和
开关偏置补偿使操作
在整个温度范围内具有最小的变化
在精度和高偏移稳定性。该电路还
拒绝由于从机械应力抵消偏移
封装。非易失性存储器组成的冗
dant EEPROM单元。此外，该传感器集成电路是
配备了过电压和器件反接
电压保护在所有引脚。
2.功能描述
2.1 。一般功能
该HAL855是一个单片集成电路中
提供一个输出信号正比于磁
磁通穿过霍尔板。
外部磁场分量垂直
到包装件的品牌侧产生的霍尔
电压。霍尔IC是磁北敏感，
南极。该电压被转换成数字
值，在数字信号处理单元处理的
（DSP），根据EEPROM的设置寄存器
TER值，转变为不同的数字输出格式
（ PWM和双相-M的串行协议），并通过提供
一个开漏输出晶体管的阶段。该功能
和参数用于DSP中的解释
锁定寄存器的设置禁用程序 -
明的EEPROM存储器的所有时间。该寄存器
器不能复位。
只要锁定寄存器没有被设置，输出
特性可以通过编程来调节
EEPROM寄存器。上述IC由modulat-寻址
荷兰国际集团的供电电压（参见图2-1）。在检测到一个
命令时，传感器的读或写的存储器和
答案跟在输出引脚上的数字信号。该
在通信期间输出被关断。
HAL
855
8
V
引体向上
V
OUT
(V)
0
V
DD
(V)
7
6
5
V
DD
GND
OUT
图。 2-1 ：
与V编程
DD
调制
V
DD
带隙
参考
温度
依赖的
BIAS
振荡器
交换的
霍尔板
A / D
变流器
数字
信号
处理
HAL855
漏极开路输出
OUT
供应
水平
发现
GND
LOCK
控制
EEPROM存储器
图。 2-2 ：
HAL855框图
MICRONAS
2008年11月26日; DSH000149_003EN
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MICRONAS [ MICRONAS ]
