注意：
在应用程序设计，它应该采取
虑到的最大值和最小值
ADC- READOUT校准过程中不被超过
与霍尔IC的操作。因此，马克西
妈妈和最小可能发生在磁场
一个特定的应用程序的操作范围应当
不饱和的A / D转换器。请注意，该
A / D转换器饱和的磁场远远高于，
分别以下，磁性范围的限制。这
指定磁范围存在较大的安全带
和真正的业务范围，有助于避免任何饱和
化。
TC和TCSQ
超前信息
范围
的范围内位是模式的三个最低位
注册;它们定义的磁场范围
A / D转换器。
磁场范围
−30
mT的... 30 mT的
−40
mT的... 40 mT的
−60
mT的... 60 mT的
−75
mT的... 75 mT的
−80
mT的... 80 mT的
−90
mT的... 90 mT的
−100
mT的... 100 mT的
−150
mT的... 150 mT的
范围
0
4
5
1
6
2
7
3
温度的磁灵敏度的依赖性
性可以适合于不同的磁性材料中
为了补偿磁场的变化
强度随温度的。适配是做
编程TC （温度系数）和
在TCSQ寄存器（二次温度Coeffi-
cient ） 。由此，斜率和温的曲率
perature磁场灵敏度的影响，可
进行匹配，以在磁铁和传感器组件。
其结果是，输出电压特性可以是
固定在整个温度范围内。该传感器可
补偿线性温度系数范围
大约
−3100
ppm的/ K至400 ppm的/ K和qua-
大约dratic系数
−5
ppm的/ K²至5ppm / K² 。
请参见4.3节。对于时建议第17页
针对不同的线性温度coeffi-谁料设置
cients 。
灵敏度
灵敏度寄存器包含的参数
乘法器在DSP 。灵敏度编程
梅布尔之间
−4
（四）对于V
DD
= 5 V ，寄存器
可以在步骤0.00049改变。灵敏度= 1
对应于通过增加输出电压的
V
DD
如果ADC - READOUT增加2048 。
在所有计算中，从磁的数字值
在A / D转换器的域被使用。这种数字信息
灰是来自ADC -读出寄存器读取。
灵敏度=
∆
V
OUT
* 2048
∆
ADC- READOUT * V
DD
VOQ
滤波器
该过滤器位的三个最高位
模式寄存器;它们定义了
−3
的分贝频率
数字低通滤波器。
−3
分贝频率
80赫兹
160赫兹
500赫兹
1千赫
2千赫
滤波器
0
1
2
3
4
该VOQ寄存器包含加法器的参数
在DSP 。 V
OQ
是输出电压没有外部
磁场（B = 0 mT的，分别ADC- READOUT
= 0），并从可编程
−V
DD
高达V
DD
。对于V
DD
= 5 V ，该寄存器可在步骤4.9 mV的变化。
注意：
如果V
OQ
被编程到一个负电压，则
最大输出电压被限制在：
V
OUTMAX
= V
OQ
+ V
DD
为在系统环境中校准，2-点
调整的过程（见2.3节）是中建议
谁料。适宜的灵敏度和V
OQ
值
每个传感器都可以单独由该亲来计算
cedure 。
8
MICRONAS
MICRONAS [ MICRONAS ]
