HAL805UT-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAL805UT-E
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内容描述：	可编程线性霍尔效应传感器 [Programmable Linear Hall Effect Sensor]
分类和应用：	传感器
文件页数/大小：	24 页 / 356 K
品牌：	MICRONAS [ MICRONAS ]

初步数据表

HAL 805

2.3 。校准程序

2.3.1 。一般步骤

为在系统环境中校准，所述应用

Micronas公司化套件建议。它包含的

硬件生成的序列电报的

编程和对相应软件的

寄存器值的输入。

在本节中，将传感器的编程使用本

编程工具进行说明。请参阅

第5节关于编程的信息第19页

明没有这个工具。

每个传感器中的客个人校准

Tomer的应用程序，两个点的调整是中建议

修补（参见图2-7中的示例）。当使用

该应用程序套件，校准可以在三个工作要做

步骤：

钳位电压

输出电压范围可以为了钳位到

发现喜欢短裤V故障

或GND或打开

电路。

在CLAMP -LOW寄存器包含的参数

的下限。低钳位电压编程

0 V和V之间的梅布尔

/ 2 。对于V

= 5 V时，稳压

存器可以以44毫伏来改变。

在CLAMP -HIGH寄存器包含的参数

的上限。上面的钳位电压为亲

0 V和V之间的可编程

。对于V

= 5 V ，在

步骤2.44毫伏。

LOCKR

通过设置这个1位寄存器，所有寄存器将被锁定，

和传感器将不再对任何供应响应

电压调制。

警告：该寄存器不能复位！

步骤1：输入的不必是寄存器

单独调整

磁回路，所述磁材料，其

的温度特性，该滤波器的频率，并

低和高钳位电压，给出了该应用程序

阳离子。

因此，以下寄存器的值应

是相同的，为客户应用程序的所有传感器。

- 过滤器

（根据最大信号频率）

·范围

（根据最大磁场在

感应器的位置）

- TC和TCSQ

（依赖于磁体和的材料

应用程序的其他温度依赖性）

- CLAMP -LOW和CLAMP -HIGH

（根据应用需求）

写相应的设置到HAL 805寄存器

字符。

ADC- READOUT

这个14位寄存器提供的实际的数字值

所施加的磁场的信号处理之前

ING 。该寄存器可以读出，并且是依据

传感器的系统中的校准程序

环境。

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