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HAL800UT-A 参数 Datasheet PDF下载

HAL800UT-A图片预览
型号: HAL800UT-A
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内容描述: 可编程线性霍尔效应传感器 [Programmable Linear Hall Effect Sensor]
分类和应用: 传感器换能器
文件页数/大小: 24 页 / 331 K
品牌: MICRONAS [ MICRONAS ]
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2.3 。校准程序
2.3.1 。一般步骤
为在系统环境中校准,所述应用
Micronas公司化套件建议。它包含的
硬件生成的序列电报的
编程和对相应软件的
寄存器值的输入。
在本节中,编程与该传感器的
编程工具进行说明。请参阅
关于编程的信息
明没有这个工具。
每个传感器中的客个人校准
Tomer的应用程序,两个点的调整是中建议
谁料(见
为一个例子)。当使用
该应用程序套件,校准可以在三个工作要做
步骤:
第2步:计算V
OQ
和灵敏度
校准点1和2可以内部设置
指定范围。对于V对应的值
OUT1
和V
OUT2
起因于应用程序的要求。
低钳位电压
V
OUT1,2
高钳位电压
用于传感器,校准点的准确度最高
的最小和最大输入信号接近的消遣
ommended 。输出电压的差
校准点1和校准点2之间
应大于3.5V。
设置系统校准点1和读取的稳压
存器ADC-读数。结果是值ADC-
READOUT1.
现在,设置系统校准点2 ,阅读
再次注册ADC- READOUT ,并获得价值
ADC-READOUT2.
使用这些值和目标值V
OUT1
V
OUT2
,对于校准点1和2 ,分别
灵敏度和V的值
OQ
的计算公式为:
灵敏度=
V
OUT1
V
OUT2
ADC-READOUT1
ADC-READOUT2
*
2048
V
DD
步骤1:输入的不必是寄存器
单独调整
磁回路,所述磁材料,其
的温度特性,该滤波器的频率,并
低和高钳位电压,给出了该应用程序
阳离子。
因此,以下寄存器的值应
是相同的,为客户应用程序的所有传感器。
- 过滤器
(根据最大信号频率)
·范围
(根据最大磁场在
感应器的位置)
- TC和TCSQ
(依赖于磁体和的材料
应用程序的其他温度依赖性)
- CLAMP -LOW和CLAMP -HIGH
(根据应用需求)
写相应的设置进入
HAL 800
寄存器
字符。
写入后,该信息被存储在内部
RAM和没有在EEPROM中。它是有效的,直到开关
断电源电压。如果该值应perma-
nently存储在EEPROM中, “商店”命令
切断电源电压之前,必须使用。
V
OQ
= V
OUT1
ADC- READOUT1 *灵敏度* V
DD
2048
这一计算,必须单独地为每个完成的
传感器。
现在,写灵敏度的计算值和
V
OQ
用于调节传感器。
使用“ STORE ”命令永久保存
在EEPROM寄存器。传感器现在校准
为客户应用程序。然而,编程
明可一次又一次被改变,如果必要的。
第3步:锁定传感器
最后的步骤是激活与所述的锁定功能
“ LOCK ”命令。该传感器被锁定并执行
没有任何编程或读取的COM回应
mands 。
警告:
该寄存器不能复位!
MICRONAS
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