IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

GRM1555C2A180GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

SPW55N80C3

CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。

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BM1Z001FJ

本产品是检测交流电压过零时序的IC。无需以往用途中所需的光电耦合器和外接零部件，大幅度减少了部件个数，可实现小型、高可靠性的电源应用。而且，与以往的光电耦合器控制相比，有助于大幅度降低待机功耗。通过采用独有的系统，既适用于通常整流，也适用于二倍整流。

光电

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GRM155R71H223MA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

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GRM0332C2A910JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

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BD63510AEFV是适用于1/16µ-step的步进电机驱动器。作为基本功能，是低功耗双极PWM恒流驱动器，额定电源为36V、额定输出电流(DC)为1.0A，接口为CLK-IN驱动型。通过内置DAC，励磁模式适用于Full step (2相励磁)、Half step (1-2相励磁)、Quarter step (W1-2 相励磁)、Sixteenth step (4W1-2相励磁）模式，对于电流衰减方式，可自由设定FAST DECAY/SLOW DECAY的比率，可对所有电机实现很好的控制状态。另外，也可使用一个系统电源进行驱动，因此有助于提高整机设计的便利性。

电机驱动驱动器

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IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极

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