HAL11x
3.7 。磁特性
在T
J
= –40
°C
到+140
°C,
V
DD
= 4.5 V至24 V ，
对于V典型特征
DD
= 12 V
切换点的磁通密度值。
正面的磁通密度值指的是磁南极在封装的品牌侧。
传感器
开关型
HAL 114
单极
参数
T
J
–40
°C
25
°C
140
°C
HAL 115
双极
–40
°C
25
°C
140
°C
分钟。
7.5
7
6.1
–10.7
–10.7
–10.7
在B点
ON
典型值。
21.5
21.1
19.4
1.4
1.2
0.9
马克斯。
36
34
31.3
12.5
12.5
12.5
分钟。
4.3
4
3.6
–12.5
–12.5
–12.5
关B点
关闭
典型值。
17.4
17.1
16.1
–1.4
–1.2
–0.9
马克斯。
33.2
31.2
28.8
10.7
10.7
10.7
迟滞B
HYS
分钟。
2.8
2.8
2.2
1.8
1.8
1
典型值。
4.1
4
3.3
2.8
2.4
1.8
马克斯。
5
4.5
4
7
7
7
mT
mT
mT
mT
mT
mT
单位
注意：
对于个别类型的详细说明，请参见第10页及以下。
上面给出的磁场限值是指部分在原包装内。在大厅敏感地区的机械应力
在芯片表面会产生一个附加的磁偏置，其可以稍微改变磁转换
点。此行为是一种物理现象，而不是传感器的故障。在大厅板的机械应力
能引起的，例如通过包覆成型的塑料包装或由像焊接宽范围的温度变化
或操作的部分在极端温度。
请使用HAL的5xx系列的传感器，如果对机械应力较高的鲁棒性是必需的。
mA
15
HAL 11X
mA
12
HAL 11X
I
DD
10
T
A
= –40
°C
T
A
= 25
°C
I
DD
10
T
A
= –40
°C
T
A
= 25
°C
5
T
A
= 140
°C
8
T
A
= 140
°C
0
6
–5
4
–10
2
–15
–15 –10 –5
0
5
10 15 20 25 30 V
V
DD
0
0
1
2
3
4
V
DD
5
6 V
图。 3-5 ：
典型电源电流
与电源电压
图。 3-6 ：
典型电源电流
与电源电压
8
MICRONAS
MICRONAS [ MICRONAS ]
