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    HAL114SF-K 参数 Datasheet PDF下载

    HAL114SF-K图片预览
    型号： HAL114SF-K
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 霍尔效应传感器系列 [Hall Effect Sensor Family]
    分类和应用： 传感器
    文件页数/大小： 17 页 / 147 K
    品牌： MICRONAS [ MICRONAS ]
     浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HAL114SF-K的Datasheet PDF文件第9页  
    HAL11x
    1.4 。工作结温范围
    Micronas公司的霍尔传感器被指定为芯片
    温度（结温度T
    J
    ).
    K:
    T
    J
    = –40
    °C
    到+140
    °C
    E:
    T
    J
    = –40
    °C
    +100
    °C
    C:
    T
    J
    = 0
    °C
    +100
    °C
    （T环境温度之间的关系
    A
    ）和
    结温在5.2节介绍。网页
    14.
    1.5 。霍尔传感器封装代码
    HALXXXPA -T
    温度范围： K，E或C
    包装： SF为SOT- 89B
    UA为TO- 92UA
    （所以对于SOT- 89A ）
    类型： 11X
    例如：
    HAL114UA-E
    →
    型号： 114
    →
    封装形式：TO - 92UA
    →
    温度范围：T已
    J
    = –40
    °C
    +100
    °C
    霍尔传感器可在很宽的各种包装
    版本和数量。欲了解更多详细信息，
    请参考手册“订购代码为大厅
    传感器“ 。
    1.6 。可焊性
    所有软件包：根据IEC68-2-58
    在回流焊接加工和手工
    再加工， 260的分量体温
    °C
    不应被超过。
    保存在原包装部件应
    提供至少12个月的保质期，从起始
    日期码印在标签上，甚至在环境中的
    极端40
    °C
    和90 ％的相对湿度。
    V
    DD
    1
    OUT
    V
    DD
    1
    反向
    电压&
    过压
    保护
    2.功能描述
    HAL的11倍传感器是单片集成电路
    该开关响应于磁场。如果一个
    磁场与感应线垂直于
    敏感区域施加到传感器，所述偏压霍尔
    板强制霍尔电压正比于这个领域。该
    霍尔电压与实际的阈值电平进行比较
    在比较器。随温度的偏差
    增加了霍尔元件的电源电压和
    调整开关点下降感应
    的磁铁，在较高的温度。如果磁场
    超过阈值水平时，开漏输出
    切换到适当的状态。内置迟滞
    消除振荡，并提供了开关特性
    输出不反弹。
    分流保护元件的钳位电压峰值处
    输出引脚和V
    DD
    与外部串联在一起-pin
    电阻器。反向电流在V被限制
    DD
    -pin由
    内部串联电阻可达-15 V.无需外部反向
    保护二极管需要在V
    DD
    -pin反向
    电压范围为0 V至-15 V.
    HAL11x
    温度
    依赖的
    BIAS
    迟滞
    控制
    短路&
    过压
    保护
    霍尔板
    比较
    产量
    OUT
    3
    GND
    2
    图。 2-1 ：
    HAL11x框图
    3
    2
    GND
    图。 1-1 ：
    引脚配置
    4
    MICRONAS

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