HAL114
R
V
220
Ω
µA
2
10
V
DD
I
OH
1
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
10
–4
10
V
OH
= 24 V
V
DD
= 5 V
4.7 nF的
2
GND
1
V
DD
OUT
3
R
L
图。 16 ：
推荐应用电路
环境温度
由于内部功耗，温度
在硅芯片上（结温度T
J
）较高
除套餐外的温度（环境温
perature牛逼
A
).
0
50
100
150
T
A
200
°C
–50
T
J
= T
A
+
∆T
在静态条件下，下面的等式是有效的：
- 对于SOT- 89A ：
- 为TO- 92UA ：
∆T
= I
DD
* V
DD
* R
thJSB
∆T
= I
DD
* V
DD
* R
thJA
图。 15 ：
典型的输出漏电流
与温度的关系
应用说明
对于抗电磁干扰，建议AP-
帘布V之间的330 pF的电容最小
DD
（引脚1）
和地（ 2脚） 。
对于需要的稳健性进行显示的应用
turbances （瞬态） ， 220
Ω
串联电阻引脚1
和V之间的一个4.7 nF的电容
DD
（ 1脚）和地
（ 2脚）的建议。该系列电阻和钙
pacitor应放置在尽可能靠近IC放置。
对于典型的价值观，用典型的参数。最差
计算的情况下，使用最大。因为我的参数
DD
和
R
th
和最大值。值V
DD
从该应用程序。
数据表历史
1.最终数据手册： “ HAL114单极霍尔开关IC ”
1998年6月10日， 6251-456-1DS 。最后的第一个版本
数据表。
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