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MT16VDDT3264AY-335 参数 Datasheet PDF下载

MT16VDDT3264AY-335图片预览
型号: MT16VDDT3264AY-335
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内容描述: [DDR SDRAM UNBUFFERED DIMM]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 35 页 / 875 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB, 512MB, 1GB, 2GB (x64, DR)  
184-PIN DDR SDRAM UDIMM  
Fig u re 4: Fu n ct io n a l Blo ck Dia g ra m Lo w -Pro file PCB  
S1#  
S0#  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DM4  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
U1  
U11  
U6  
U16  
DQS1  
DQS5  
DM5  
DM1  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DQ8  
DQ9  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
U2  
U12  
U7  
U17  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DM6  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
U3  
U13  
U8  
U18  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DM7  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DM CS# DQS  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ  
DQ  
DQ  
U4  
U14  
U9  
DQ  
U19  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
SERIAL PD  
BA0, BA1  
BA0, BA1: DDR SDRAMS  
A0-A11: DDR SDRAMS  
A0-A12: DDR SDRAMS  
RAS#: DDR SDRAMS  
CAS#: DDR SDRAMS  
V
DDSPD  
DDQ  
DD  
REF  
SS  
SPD  
SCL  
WP  
U10  
A0 A1 A2  
A0-A11 (256MB)  
V
SDA  
DDR SDRAMS  
DDR SDRAMS  
DDR SDRAMS  
DDR SDRAMS  
A0-A12 (512MB, 1GB)  
V
RAS#  
CAS#  
CKE0  
CKE1  
WE#  
V
SA0 SA1 SA2  
V
CKE0: DDR SDRAMS U1–U4, U6–U9  
CKE1: DDR SDRAMS U11, U14, U16–U19  
120  
120  
120  
WE#: DDR SDRAMS  
DDR  
DDR  
SDRAM  
X 6  
DDR  
SDRAM  
X 6  
CK0  
CK0#  
CK1  
CK1#  
CK2  
CK2#  
SDRAM  
X 4  
3pF  
3pF  
3pF  
Standard modules use  
NOTE:  
1. All resistor values are 22unless otherwise specified.  
MT46V16M8TG for 256MB; MT46V32M8TG for 512MB; MT46V64M8TG  
for 1GB  
2. Per industry standard, Micron modules utilize various component speed  
grades, as referenced in the module part number guide at  
www.micron.com/numberguide.  
Lead-free modules use  
MT46V16M8P for 256MB; MT46V32M8P for 512MB; MT46V64M8P for  
1GB  
pdf: 09005aef80739fa5, source: 09005aef807397e5  
DD16C32_64_128_256x64AG.fm - Rev. C 9/04 EN  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2004 Micron Technology, Inc.  
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