TCM809/TCM810
2.0
注意:
典型性能特性
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
18
TCM8xx / R / S / T / Z ,空载
16
14
12
10
V
DD
= 3V
8
6
4
2
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃)
80
100
120
V
DD
= 1V
上电复位超时(微秒)
电源电流( μA )
350
300
250
200
150
100
50
V
DD
= 5V
450
400
温度(℃)
图2-1:
温度。
16
TCM8xx / L / M / J ,空载
14
12
电源电流( μA )
10
电源电流与
图2-3:
与温度的关系。
1.001
上电复位超时
V
DD
= 5V
归一化的复位门限
1
V
DD
= 3V
8
6
4
2
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
V
DD
= 1V
0.999
0.998
0.997
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
温度(℃)
图2-2:
温度。
电源电流与
图2-4:
归复位
阈值与温度的关系。
DS21661C第4页
2004年Microchip的科技公司