TC9400/9401/9402
5.0
电压 - 频率
（V / F）转换器设计
信息
输入/输出关系
C
REF
（PF ） +为12pF
图5-1：
500
400
300
推荐
C
REF
与V
REF
V
DD
= +5V
V
SS
= -5V
R
IN
= 1MΩ
V
IN
= +10V
T
A
= +25°C
10kHz
5.1
输出频率（f
OUT
）与模拟
输入电压（V
IN
）由传输方程：
公式5-1 ：
频率输出=
V
IN
1
,x
(V
REF
)(V
REF
)
R
IN
200
100
100kHz
5.2
5.2.1
外部元件的选择
R
IN
5.2.4
0
-1
-2
-3
-4
V
REF
(V)
-5
-6
-7
此组件的值被选择，得到充分
规模大约为10μA输入电流：
V
DD
, V
SS
公式5-2 ：
R
IN
≅
V
在满量程
10µA
推荐使用± 5V的电源。对于高
精度要求， 0.05 ％的线路和负载调节
和0.1μF盘去耦电容，靠近
销，建议。
5.3
调整步骤
公式5-3 ：
R
IN
≅
10V
= 1MΩ
10µA
图3-1显示了微调某些地区零的电路
化。满量程可通过调整R上镶着
IN
, V
REF
,
或C
REF
。一个完整的10kHz的推荐程序
刻度频率如下：
1.
集V
IN
要为10mV和修剪调零电路
以获得10Hz的输出频率。
集V
IN
以10V和装饰字母R
IN
, V
REF
或C
REF
以获得10kHz的输出频率。
注意该值是近似值和精确
关系由传输方程来定义。但在实践
蒂斯， R的值
IN
通常会被修剪成
获得满量程频率在V
IN
满量程（见
第5.3节，调整程序） 。金属膜电阻
器具有1 ％的容差或更好的建议了
由于其热高精度应用
稳定性和低噪音的产生。
2.
如果调整是按照该顺序进行，但应
没有交往，他们不应该是
重复。
5.4
5.2.2
C
INT
改进的单电源V / F
转换器操作
的精确值并不重要，但涉及到C
REF
by
关系：
3C
REF
≤
C
INT
≤
10C
REF
改进的稳定性和线性时得到
C
INT
≤
4C
REF
。低漏电类型推荐
虽然云母和陶瓷器件可被用
应用场合其温度范围是不
超标。找到尽可能接近到12引脚
13 。
5.2.3
C
REF
精确值不是关键的，并且可以用于修剪
满量程频率（见第7.1节，输入/输出
关系） 。玻璃膜或空气微调电容器
推荐的，因为它们的稳定性和低泄漏
年龄。定位在尽可能靠近到引脚5和3（见
图5-1 ） 。
一个TC9400 ，它采用单12〜 15V VARI-
能的电源，如图5-2所示。该电路
使用两个齐纳二极管来设置稳定的偏置电平
在TC9400 。齐纳二极管也提供为参考
EnCE的电压，因此，输出阻抗和温度
该齐纳二极管的TURE系数会直接影响电源
电源抑制和温度性能。满
规模调整是通过调整输入完成
电流。微调参考电压被不推荐
谁料针对高精度应用，除非
运算放大器用作缓冲器，因为TC9400
需要一个低阻抗的参考（见第4.9节，
V
REF
引脚说明，以了解更多信息） 。
图5-2中的电路将能够直接与
CMOS逻辑电路在12V至15V工作。 TTL或5V CMOS
逻辑可以通过连接所述输出被容纳
上拉电阻到+ 5V电源。一个可以光隔离器
也可使用，如果需要的分离的输出;也见
图5-3 。
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DS21483B第10页
2002年Microchip的科技公司
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