TC426/TC427/TC428
3.0
3.1
应用信息
电源旁路
3.4
功耗
充电和放电较大的容性负载
很快，需要大电流。例如，充电
一个1000pF的负载18V的25nsec需要0.72A
电流从设备的电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频率
范围时，并联电容的组合是中建议
谁料用于电源旁路。低电感陶瓷
圆盘电容器短引线长度（以< 0.5 。 ）应该
被使用。甲1μF薄膜电容器并联有一个或两个
0.1μF的陶瓷电容磁盘通常提供
充足的旁路。
电源电流与频率和电源电流
VS容性负载特性曲线将有助于
确定功耗计算。
该TC426 / TC427 / TC428 CMOS驱动器有很大的
降低静态直流功耗。最大
静态电流8毫安相比DS0026
40毫安规范。对于一个15V电源，电源
典型功耗为40毫瓦。
另外两个功耗组件有：
•输出级的AC和DC负载电源。
•过渡政权。
输出级功率为：
3.2
接地
在TC426和TC428包含反相驱动器。
地电位下降发达的共同点
阻抗从输入到输出显示为
负反馈并降低开关速度
的特点。
单独的接地回路的输入和输出
电路或接地平面应该被使用。
PO = P
DC
+ PAC
= VO（我
DC
） + F c的
L
V
S2
其中：
Vo
I
DC
f
Vs
= DC输出电压
=直流输出负载电流
=开关频率
•电源电压
3.3
输入级
输入电压电平改变空载或
静态电源电流。的N沟道MOSFET
输入级晶体管驱动2.5毫安电流源
负载。用逻辑"1"输入，最大静态
电源电流为8毫安。逻辑"0"输入电平信号
降低至0.4mA最大静态电流。
最低功耗发生逻辑"0"输入
为TC426 / TC427 / TC428 。
未使用的驱动器输入
必须连接到V
DD
或GND 。
该驱动器的设计与100 mV的迟滞。
这提供了清洁的转变，最大限度地减少输出
级电流尖峰改变状态的时候。输入
电压阈值大约为1.5V ，使得
在4.5V至18V电源兼容TTL器件
工作范围。输入电流小于1μA在这个
范围内。
该TC426 / TC427 / TC428可以通过直接驱动
该TL494 ， SG1526 / 1527 ， SG1524 ， SE5560 ，并
类似的开关型电源集成电路。
在功率MOSFET驱动器应用的P
DC
期限
可以忽略不计。 MOSFET功率晶体管是高阻抗
ANCE ，电容的输入设备。在应用中
阻性负载或继电器驱动时，P
DC
部件
通常会占据主导地位。
P的大小
AC
很容易估计数
案例：
A.
1. f
2. C
L
3. VS
4. P
AC
= 200kHz的
=1000pf
= 18V
= 65mW的
B.
1. f
2. C
L
3. VS
4. P
AC
= 200kHz的
=1000pf
= 15V
= 45MW
在输出电平状态发生变化时，电流浪涌会
流过串联连接的N和P沟道
输出MOSFET作为一台设备正在转向"ON"而
另一种是转动"OFF" 。只有电流尖峰流量
输出转换期间。的输入电平不应当
保持逻辑"0"和"1"逻辑电平之间。
未使用的驱动器输入必须连接到地，
不允许浮动。
平均功率损耗
通过最小化输入的上升时间减小。如图
的特性曲线，平均电源电流的
频率相关的。
DS21415B第6页
2002年Microchip的科技公司
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