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PIC18F2220-I/SO 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC18F2220-I/SO
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内容描述: 28 /40/ 44引脚高性能,增强型闪存微控制器与10位A / D和纳瓦技术 [28/40/44-Pin High-Performance, Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 388 页 / 6899 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F2220/2320/4220/4320
15.0
捕捉/比较/ PWM
( CCP)模块
注意:
在28引脚器件,无论是CCP1和CCP2
功能标准CCP模块。在
40引脚器件, CCP1实现为
增强型CCP模块,提供额外
操控能力在PWM模式。捕获
和比较模式是相同的所有
模块不管设备。
请参阅
为增强的讨论
CCP1模块的PWM功能。
标准CCP (捕捉/比较/ PWM )模块
包含一个16位寄存器,可以作为一个16位操作
捕捉寄存器, 16位比较寄存器或PWM
主/从占空比寄存器。表15-1所示
需要对每一个共产党的定时器资源
模块模式。
CCP1的操作是CCP2相同的,与
除特殊事件触发的。因此,
一个CCP模块的操作是针对描述
CCP1除非另有说明。表15-2所示
CCP模块的交互。
寄存器15-1:
为CCPxCON : CCP模块控制寄存器
U-0
第7位
U-0
R/W-0
DCxB1
R/W-0
DCxB0
R/W-0
CCPxM3
R/W-0
CCPxM2
R/W-0
CCPxM1
R/W-0
CCPxM0
位0
位7-6
位5-4
⎯Reserved :
读为“0” 。
SEE
DCxB1 : DCxB0的:
PWM占空比位1和位0
捕捉模式:
未使用。
比较模式:
未使用。
PWM模式:
这些位是两个LSB 10位PWM占空比(第1位和第0位) 。高8位
( DCx9 : DCx2 )的占空比在CCPRxL 。
CCPxM3 : CCPxM0可以选择:
将CCPx模式选择位
0000
=捕捉/比较/ PWM关闭(复位CCPx模块)
0001
•保留
0010
=比较模式,切换输出的匹配( CCPxIF位置1 )
0011
•保留
0100
=捕捉模式,每个下降沿
0101
=捕捉模式,每个上升沿
0110
=捕捉模式,每4个上升沿
0111
=捕捉模式,每16个上升沿
1000
=比较模式,初始化CCP引脚为低电平;比较匹配时,强制CCP引脚为高电平
( CCPxIF位置1 )
1001
=比较模式,初始化CCP引脚为高电平;比较匹配时,强制CCP引脚为低电平
( CCPxIF位置1 )
1010
=比较模式,产生软件中断比较匹配( CCPxIF位置1 , CCP
销操作为端口引脚用于输入和输出)
1011
=比较模式,触发特殊事件( CCP2IF位被置位)
11xx
- PWM模式
图例:
R =可读位
- n =上电复位值
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位,读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
3-0位
2003 Microchip的技术公司
DS39599C第133页