PIC18F6585/8585/6680/8680
7.0
数据EEPROM存储器
7.1
EEADRH ： EEADR
数据EEPROM是在去甲可读可写
MAL操作在整个V
DD
范围内。数据
存储器并不直接映射到寄存器文件
空间。相反，它是通过间接寻址
特殊功能寄存器（ SFR ） 。
有用于读取和写入5个SFR的
程序和数据EEPROM存储器。这些寄存器
主要有：
•
•
•
•
•
EECON1
EECON2
EEDATA
EEADR
EEADRH
地址寄存器对， EEADRH ： EEADR ，可以
解决了，最高的1024个字节的数据
EEPROM 。
7.2
EECON1和EECON2寄存器
EECON1是控制寄存器EEPROM存储器
访问。
EECON2不是物理寄存器。读EECON2
将读全0 。 EECON2寄存器使用
只在EEPROM写序列。
控制位RD和WR启动读操作和写操作
系统蒸发散分别。这些位不能被清除，只
在软件中设置。他们在硬件清零
读或写操作的完成。无力
清除用软件将WR位防止意外
或提前终止写操作。
当WREN位置1时，允许进行写操作。
上电时，WREN位被清零。 WRERR位是
设置时，写操作被MCLR中断
复位或正常操作期间， WDT超时复位
化。在这些情况下，用户可以检查
WRERR位并重写的位置。有必要
重新加载数据和地址寄存器（ EEDATA和
EEADR ）由于复位状态迫使
的寄存器的内容为零。
注意：
中断标志位， EEIF在PIR2寄存器，
当写操作完成设置。它必须是
用软件清零。
EEPROM数据存储器允许字节读写。
当连接到所述数据存储块，EEDATA
保持的8位数据读/写和EEADR存放的
被访问的EEPROM存储单元的地址。
这些器件具有1024字节的数据EEPROM，
地址范围从0h到至3FFh 。
EEPROM数据存储器具有高擦/
写周期。字节写操作会自动擦除存储单元
并写入新数据（即先擦后写） 。该
写入时间由片上定时器控制。写
时间将随电压和温度的变化以及
从芯片到芯片中。请参见参数D122
（电气特性，
具体的限制。
2004年Microchip的科技公司
DS30491C第101页
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