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    PIC18F6621-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

    PIC18F6621-I/PT图片预览
    型号： PIC18F6621-I/PT
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    内容描述： 八十〇分之六十四引脚高性能， 64 KB的增强型闪存微控制器与A / D [64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D]
    分类和应用： 闪存微控制器和处理器外围集成电路装置时钟
    文件页数/大小： 396 页 / 6639 K
    品牌： MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
     浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第77页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第78页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第79页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第80页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第82页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第83页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第84页浏览型号PIC18F6621-I/PT的Datasheet PDF文件第85页  
    PIC18F6525/6621/8525/8621
    7.0
    数据EEPROM存储器
    7.1
    EEADR和EEADRH
    数据EEPROM是可读可写的过程中
    在整个V正常运行
    DD
    范围内。数据
    存储器并不直接映射到寄存器文件
    空间。相反，它是通过间接寻址
    特殊功能寄存器（ SFR ） 。
    有用于读取和写入5个SFR的
    程序和数据EEPROM存储器。这些寄存器
    主要有：
    •
    •
    •
    •
    •
    EECON1
    EECON2
    EEDATA
    EEADRH
    EEADR
    地址寄存器对可以寻址到
    最多1024个字节的数据EEPROM 。两
    最显着的地址位被存储在
    EEADRH ，而剩余的8个最低有效
    位存储在EEADR 。这六个最高有效位
    EEADRH是未使用，读为“0” 。
    7.2
    EECON1和EECON2寄存器
    EECON1是控制寄存器EEPROM存储器
    访问。
    EECON2不是物理寄存器。读EECON2
    将读全0 。 EECON2寄存器使用
    只在EEPROM写序列。
    控制位RD和WR启动读和写操作
    操作，分别。这些位不能被清除，
    只有在软件中设置。它们在硬件清零
    在完成读或写操作。该
    无法清除WR位软件阻止
    意外或提早结束写的
    操作。
    注意：
    在正常操作期间， WRERR位
    读为“1” 。这可以表明写
    操作被过早地被终止
    复位，或写操作
    不当企图。
    EEPROM数据存储器允许字节读写。
    当连接到所述数据存储块，EEDATA
    保持的8位数据读/写。 EEADR和
    EEADRH持有的EEPROM存储单元的地址
    被访问。这些器件具有1024字节的
    数据EEPROM ，地址范围从00H到
    3FFh.
    EEPROM数据存储器具有高擦/
    写周期。字节写操作会自动擦除存储单元
    并写入新数据（即先擦后写） 。该
    写入时间由片上定时器控制。写
    时间将随电压和温度的变化，以及
    从芯片到芯片。请参见参数D122
    （部分
    27.0 “电气特性” ）
    为准确
    极限。
    当WREN位置1时，允许进行写操作。
    上电时，WREN位被清零。 WRERR位是
    设置时，写操作被MCLR中断
    复位或在正常的看门狗定时器超时复位
    操作。在这些情况下，用户可以检查
    WRERR位并重写的位置。有必要
    重新加载数据和地址寄存器（ EEDATA和
    EEADR ）由于复位状态迫使
    的寄存器的内容为零。
    注意：
    中断标志位， EEIF在PIR2寄存器，
    当写操作完成设置。它必须是
    用软件清零。
    2005年Microchip的科技公司
    DS39612B第79页

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