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PIC18F6621-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC18F6621-I/PT
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内容描述: 八十〇分之六十四引脚高性能, 64 KB的增强型闪存微控制器与A / D [64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路装置时钟
文件页数/大小: 396 页 / 6639 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F6525/6621/8525/8621
八十〇分之六十四引脚高性能, 64 KB的增强型闪存
微控制器与A / D
高性能RISC CPU :
线性程序存储器寻址64K字节
线性数据存储器寻址到4千字节
1字节数据EEPROM
高达10 MIPS工作:
- DC - 40 MHz的振荡器/时钟输入
- 4兆赫 - 10 MHz的振荡器/时钟输入, PLL活跃
16位宽的指令, 8位宽的数据通路
优先级的中断
31级软件访问硬件堆栈
8 ×8单周期硬件乘法器
高灌/拉电流为25 mA / 25毫安
4个外部中断引脚
Timer0模块: 8位/ 16位定时器/计数器
Timer1模块: 16位定时器/计数器
Timer2模块: 8位定时器/计数器
Timer3模块: 16位定时器/计数器
模块定时器4 : 8位定时器/计数器
辅助振荡器时钟选项 - 定时器/定时器3
两个捕捉/比较/ PWM ( CCP)模块:
- 捕捉为16位,最大。 ( 6.25 ns的T号决议
CY
/16)
- 比较为16位,最大(分辨率为100 ns牛逼
CY
)
- PWM输出: 1 〜10位PWM分辨率
三增强型捕捉/比较/ PWM ( ECCP )
模块:
- 同型捕捉/比较功能,为中共
- 一个,两个或四个PWM输出
- 选择极性
- 可编程死区时间
- 对外部事件自动关机
- 自动重启
主同步串行端口( MSSP )模块
以两种操作模式:
- 2/3/ 4线SPI ™ (支持所有4种SPI模式)
- I
2
C™主从模式
两个增强型USART模块:
- 支持RS - 485 , RS - 232和LIN 1.2
- 在启动位自动唤醒
- 自动波特率检测
并行从动端口( PSP )模块
程序存储器
设备
数据存储器
10-bit
A / D
(CH)
12
12
16
16
外部存储器接口
( PIC18F8525 / 8621设备只) :
•地址高达2 MB的能力
- 16位接口
模拟功能:
•10位,多达16通道的模拟至数字
转换器( A / D) :
- 自动采集
- 在休眠期间可转换
•可编程的16级低电压检测
( LVD )模块:
- 支持中断的低电压检测
•可编程欠压复位( BOR )
•双模拟比较器:
- 可编程的输入/输出配置
外设特性:
单片机特性:
• 100,000次擦除/写周期增强型闪存
程序存储器的典型
•百万擦除/写周期数据EEPROM
典型的内存
• 1秒编程时间
• FLASH / EEPROM数据保留: >百年
•在软件控制下自行再编程
•上电复位( POR ) ,上电定时器( PWRT )
和振荡器起振定时器( OST )
•看门狗定时器( WDT)有自己的片上
RC振荡器可靠运行
•可编程代码保护
•省电休眠模式
•可选的振荡器选项包括:
- 4倍频锁相环( PLL ) - 主振荡器
- 辅助振荡器( 32 kHz)的时钟输入
•在线串行编程(ICSP™ )通过两个引脚
• MPLAB
®
在线调试( ICD 2 )通过两个引脚
CMOS技术:
低功耗,高速闪存技术
全静态设计
宽工作电压范围( 2.0V至5.5V )
工业和扩展温度范围
#单字SRAM EEPROM的I / O
字节
指令(字节)(字节)
48K
64K
48K
64K
24576
32768
24576
32768
3840
3840
3840
3840
1024
1024
1024
1024
53
53
70
70
CCP /
MSSP / SPI ™ /
计时器
ECCP PWM主我
2
C™ EUSART 8位/ 16位EMI
2/3
2/3
2/3
2/3
14
14
14
14
Y
Y
Y
Y
2
2
2
2
2/3
2/3
2/3
2/3
N
N
Y
Y
PIC18F6525
PIC18F6621
PIC18F8525
PIC18F8621
2005年Microchip的科技公司
DS39612B第1页