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PIC18F6621-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

PIC18F6621-I/PT图片预览
型号: PIC18F6621-I/PT
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内容描述: 八十〇分之六十四引脚高性能, 64 KB的增强型闪存微控制器与A / D [64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路装置时钟
文件页数/大小: 396 页 / 6639 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC18F6525/6621/8525/8621
2.0
2.1
振荡器
CON连接gurations
振荡器类型
图2-1:
晶体/陶瓷
谐振器工作原理
( HS , XT或LP
配置)
OSC1
To
国内
逻辑
睡觉
的PIC18F6525 / 6621 / 8621分之8525装置可以是
在12种不同的振荡器模式下工作。用户
可以设定四个配置位( FOSC3 , FOSC2 ,
FOSC1和FOSC0 )选择其中之一
模式:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
低功耗晶振
晶振/谐振器
高速晶振/谐振器
外部电阻/电容
外部时钟
外部时钟与I / O引脚
启用
7. HS + PLL
高速晶振/谐振器
启用PLL
8. RCIO
外部电阻/电容与
I / O引脚启用
9. ECIO +软件锁相环外部时钟软件
控制PLL
10. ECIO + PLL外部时钟与PLL和I / O
引脚启用
11, HS + SPLL
高速晶振/谐振器
用软件控制
12. RCIO
外部电阻/电容与
I / O引脚启用
LP
XT
HS
RC
EC
ECIO
C1
(1)
XTAL
R
S
(2)
C2
(1)
注1 :
2:
3:
OSC2
R
F
(3)
PIC18F6X2X/8X2X
请参阅表2-1和表2-2
C1和C2的推荐值。
一个串联电阻(R
S
) ,可能需要对
AT条形切割的晶体。
R
F
随所选择的振荡器模式。
表2-1:
电容选择
陶瓷谐振器
测试范围
模式
XT
频率
455千赫
2.0兆赫
4.0兆赫
8.0兆赫
16.0兆赫
C1
68-100 pF的
15-68 pF的
15-68 pF的
10-68 pF的
10-22 pF的
C2
68-100 pF的
15-68 pF的
15-68 pF的
10-68 pF的
10-22 pF的
HS
2.2
晶振/陶瓷
谐振器
这些值仅供设计参考。
请参见本表注释。
谐振器的使用:
2千赫
4兆赫
8兆赫
16兆赫
在XT , LP , HS , HS + PLL和HS +软件锁相环振荡器模式下,
晶体或陶瓷谐振器连接到OSC1
和OSC2引脚,以产生振荡。图2-1显示了
引脚连接。
在PIC18F6525 / 6621 / 8621分之8525振荡器设计
要求使用平行切割的晶体。
注意:
使用顺序切割的晶体,可能会使一个
频率超出晶体制造商
特定连接的阳离子。
注1 :
电容越大,稳定性
的振荡器,但也增加了
启动时间。
2:
当运行低于3V V
DD
时,或者当
使用某些陶瓷谐振器在任何
电压,则可能有必要使用高
获得HS模式,尝试以较低频率
谐振器或开关的晶体振荡器。
3:
由于每个谐振器/晶振都有其自身
的特性,用户应咨询
谐振器/晶振制造厂商appro-
外部元件的priate值或
验证振荡器的性能。
2005年Microchip的科技公司
DS39612B第21页