PIC18F2331/2431/4331/4431
7.0
数据EEPROM存储器
7.2
EECON1和EECON2寄存器
数据EEPROM是可读可写的过程中
在整个V正常运行
DD
范围内。数据
存储器并不直接映射到寄存器文件
空间。相反，它是通过间接寻址
特殊功能寄存器（ SFR ） 。
有用于读取和写入四个SFR的
程序和数据EEPROM存储器。这些寄存器
主要有：
•
•
•
•
EECON1
EECON2
EEDATA
EEADR
访问数据EEPROM由两个控制
寄存器： EECON1和EECON2 。这些是相同的
寄存器，控制访问程序存储器
和以类似的方式用于数据用于
EEPROM 。
EECON1寄存器（寄存器
是控制
注册数据和程序存储器的访问。控制
位， EEPGD决定访问的是程序
或数据EEPROM存储器。当清零时，操作将
访问数据EEPROM存储器。当设置，程序
存储器进行访问。
控制位CFGS决定访问将是
配置寄存器还是程序存储器/数据
EEPROM存储器。当设置，后续操作
访问配置寄存器。当CFGS清零时，
在EEPGD位选择闪存程序或数据
EEPROM存储器。
当WREN位置1时，允许进行写操作。
上电时，WREN位被清零。 WRERR位是
在硬件设置时， WREN位被置位和清零
当内部编程定时器超时，
写操作完成。
注意：
在正常操作期间， WRERR位
读为“1” 。这可以表明写
操作被过早地被终止
复位或写操作
不当企图。
EEPROM数据存储器允许字节读写。
当连接到所述数据存储块，EEDATA
保持的8位数据读/写和EEADR存放的
被访问的EEPROM存储单元的地址。
这些器件具有256字节的数据EEPROM，
地址范围为00H〜 FFH 。
EEPROM数据存储器具有高擦/
写周期耐力。自动字节写
擦除单元并写入新数据（即先擦
之前写）。的写入时间由片上的控制
定时器。写操作的时间会随电压而
温度，以及从芯片到芯片。请
参见参数
in
具体的限制。
7.1
EEADR
地址寄存器可以处理256个字节的数据
EEPROM 。
WR控制位用于启动写操作。该位
不能被清除，只能将软件;它被清除在
硬件在完成写操作。
注意：
该EEIF中断标志位（ PIR2<4> ）是
当写操作完成设置。它必须是
用软件清零。
控制位RD和WR ，开始读取和擦除/写
操作，分别。这些位由软件设置
而由硬件清零在完成的
操作。
访问程序时，RD位不能设置
存储器（ EEPGD =
1).
程序存储器是通过读
表格读取指令。看
关于表读。
EECON2寄存器不是物理寄存器。这是
专用于存储器写入和擦除
序列。读EECON2将得到全0 。
2010 Microchip的技术公司
DS39616D第79页
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