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PIC16F88-I/SO 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC16F88-I/SO
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内容描述: 18 /20/ 28引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术 [18/20/28-Pin Enhanced FLASH Microcontrollers with nanoWatt Technology]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路光电二极管PC时钟
文件页数/大小: 214 页 / 3543 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC16F87/88
18.0
电气特性
绝对最大额定值†
在环境温度bias.............................................................................................................-55°C至+ 125°C
储存温度.............................................................................................................................. -65 ° C至+ 150°C
电压的任何引脚相对于V
SS
(除V
DD
和MCLR ) .............................. .... -0.3V到(V
DD
+ 0.3V)
在V电压
DD
相到V
SS
............................................................................................................ -0.3〜 + 7.5V
电压对MCLR相对于V
SS
(注2 )
.................................................. ...........................................- 0.3〜 + 14V
总功耗
(注1 )
..................................................................................................................................1W
最大电流输出的V
SS
针...........................................................................................................................200毫安
最大电流为V
DD
针..............................................................................................................................200毫安
输入钳位电流,I
IK
(V
I
& LT ; 0或V
I
& GT ; V
DD
).....................................................................................................................
±
20毫安
输出钳位电流,I
OK
(V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
DD
)
............................................................................................................. ±
20毫安
最大输出电流任何I沉没/ O pin..........................................................................................................25毫安
最大输出电流源的任何I / O引脚....................................................................................................25毫安
通过PORTA击沉的最大电流........................................................................................................................100毫安
来源按最大电流PORTA...................................................................................................................100毫安
通过下沉最大电流PORTB........................................................................................................................100毫安
来源PORTB通过的最大电流..................................................................................................................100毫安
注1 :
功耗计算如下: PDIS = V
DD
X {I
DD
-
I
OH
} +
{(V
DD
- V
OH
) ×1
OH
} +
∑(V
O
长x我
OL
)
2:
尖峰电压MCLR引脚可能导致闩锁。应使用的大于1千欧的串联电阻
拉MCLR到V
DD
,而不是直接绑脚到V
DD
.
†注:上述“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
在本规范的操作列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2003 Microchip的技术公司
初步
DS30487B第163页