PIC16F684
2.2.2.1
状态寄存器
STATUS寄存器，寄存器2-1所示，包括：
• ALU的算术运算状态
•复位状态
•银行选择位数据存储器（ SRAM ）
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令，像任何其他寄存器。如果状态寄存器
是目标的影响Z的指令，
DC或C位，那么写这三位是显示
体健。这些位是根据设置或清除
器件的逻辑。此外，TO和PD位是不可
可写。同的指令，因此，其结果
状态寄存器作为目标可能会比不同
意。
例如，
CLRF STATUS ，
将清零高3
位，并将Z位。这将使状态寄存器
‘000u
u1uu’
（其中
u
=不变） 。
建议的，因此，只
BCF ， BSF ，
SWAPF
和
MOVWF
指令来改变
状态寄存器，因为这些指令不影响
任何状态位。为了不影响任何其它指令
状态位，请参见“指令集汇总” 。
注1 ：
IRP和RP1位（ STATUS<7 ： 6> ）不
使用PIC16F684的和应
保持清零。使用这些位是
不推荐使用，因为这可能会影响
与未来产品的向上兼容性。
2:
C和DC位的借位
和半借位，分别在
减法。见
SUBLW
和
SUBWF
说明例子。
寄存器2-1：
状态 - 状态寄存器（地址： 03H 83H OR ）
保留保留
IRP
第7位
RP1
R/W-0
RP0
R-1
TO
R-1
PD
R / W -X
Z
R / W -X
DC
R / W -X
C
位0
第7位
第6位
第5位
IRP ：
该位是保留的，应保持为“0”
RP1 ：
该位是保留的，应保持为“0”
RP0 ：
寄存器组选择位（用于直接寻址）
1
银行= 1 （ 80H - FFH ）
0
=银行0 （ 00H - 7Fh的）
要：
超时位
1
=上电后，
CLRWDT
指令或
睡觉
指令
0
=发生了WDT超时
PD ：
掉电位
1
=在上电或由
CLRWDT
指令
0
=执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1
=算术或逻辑运算的结果为零
0
=算术或逻辑运算的结果不为零
DC ：
半进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
说明）
对于借位，极性是相反的。
1
=运算出结果的第4低位发生
0
=未发生进结果的第4低位
C:
进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
说明）
1
=运算出结果的最高位发生
0
=未发生进结果的最高位发生
注1 ：
对于借位，极性是相反的。减法是通过增加两个的执行
补充第二个操作数。对于移位（ RRF ，
RLF ）
指令，此位是
装载有任一高阶或源寄存器的低有效位。
图例：
R =可读位
上电复位时-n =价值
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位，读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
4位
第3位
第2位
第1位
位0
2004年Microchip的科技公司
初步
DS41202C第11页
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