PIC16F630/676
8.0
数据EEPROM存储器
EEPROM数据存储器是可读可写的
在正常操作期间（整个V
DD
范围内）。此内存
不直接映射到寄存器文件空间。
相反，它是间接地通过特别处理
功能寄存器。有用于读取四个SFR
写这个内存：
•
•
•
•
EECON1
EECON2 （不是实际存在的寄存器）
EEDATA
EEADR
EEPROM数据存储器允许字节读写。
字节写操作会自动擦除的位置和
写入新数据（在写入前擦除） 。该EEPROM
数据存储器具有高擦/写周期。该
写入时间由片上定时器控制。写
时间将随电压和温度的变化以及
从芯片到芯片中。请参阅交流特定网络连接的阳离子为
具体限制。
当数据存储器被代码保护时，CPU
可以继续读写数据EEPROM
内存。该器件编程器将不再能访问
此内存。
关于数据EEPROM的更多信息
在PIC可用
®
中档参考手册，
(DS33023).
EEDATA存放8位数据读/写，并
EEADR持有的EEPROM存储单元的地址
被访问。 PIC16F630 / 676器件具有128
数据EEPROM ，地址范围从0h字节
至7Fh 。
寄存器8-1 ：
EEDAT - EEPROM数据寄存器（地址： 9AH ）
R/W-0
EEDAT7
第7位
R/W-0
EEDAT6
R/W-0
EEDAT5
R/W-0
EEDAT4
R/W-0
EEDAT3
R/W-0
R/W-0
R/W-0
EEDAT0
位0
EEDAT2 EEDAT1
7-0位
EEDATn ：
字节的值写入或从数据EEPROM读
图例：
R =可读位
- n =上电复位值
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位，读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
寄存器8-2 ：
EEADR - EEPROM地址寄存器（地址：部9Bh ）
U-0
—
第7位
R/W-0
EADR6
R/W-0
EADR5
R/W-0
EADR4
R/W-0
EADR3
R/W-0
EADR2
R/W-0
EADR1
R/W-0
EADR0
位0
第7位
6-0位
未实现：
应设置为“0”
EEADR ：
指定位置128 EEPROM读1 /写操作
图例：
R =可读位
- n =上电复位值
W =可写位
' 1 ' =置
U =未实现位，读为'0'
' 0 ' =清零
X =未知
©
2007 Microchip的技术公司
DS40039E第49页
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