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PIC16F747-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC16F747-I/PT
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内容描述: 28 /40/ 44引脚, 8位CMOS闪存微控制器与10位A / D和纳瓦技术 [28/40/44-Pin, 8-Bit CMOS Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路时钟
文件页数/大小: 276 页 / 4898 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC16F7X7
4.0
4.1
振荡器
CON连接gurations
振荡器类型
表4-1:
电容选择
晶体振荡器( FOR
仅供设计参考)
水晶
频率
32千赫
200千赫
200千赫
1兆赫
4兆赫
典型电容值
测试:
C1
C2
33 pF的
15 pF的
56 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
该PIC16F7X7可以在八个不同的振荡操作
荡器模式。用户可以通过对三个配置
位( FOSC2 : FOSC0 )选择其中一种模式
( 5-8模式是新的PIC16振荡器配置) :
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
低功耗晶振
晶振/谐振器
高速晶振/谐振器
外部电阻/电容与
F
OSC
在RA6 / 4个输出
RCIO外部电阻/电容与
在RA6 I / O
INTIO1内部振荡器具有F
OSC
/4
在RA6输出和RA7 I / O
INTIO2内部振荡器, RA6上的I / O
和RA7
ECIO外部时钟与RA6 I / O
LP
XT
HS
RC
振荡器类型
LP
XT
33 pF的
15 pF的
56 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
15 pF的
HS
4兆赫
8兆赫
20兆赫
电容值仅供设计参考。
这些电容进行了测试,并列出了晶体
以下为基本的启动和运行。这些值
未经优化。
不同的电容值,可能需要产生
振荡器工作。用户应测试
振荡器的预期的性能
V
DD
和温度范围内的应用。
请参见本表为额外的注释
信息。
注1 :
电容越大,稳定性
的振荡器,但也增加了
启动时间。
2:
由于每个谐振器都有自己的character-
istics ,用户应当向晶
制造商的适当值
的外部元件。
3:
R可以被要求在HS模式,以及
如XT模式,以避免晶体造成过
用低电平驱动的规范。
4:
总是在验证振荡器
在V
DD
和温度范围内是
预计该应用程序。
4.2
晶振/陶瓷
谐振器
在XT , LP或HS模式下,晶振或陶瓷谐振器
连接到OSC1 / CLKI和OSC2 / CLKO引脚
建立振荡(见图4-1和图4-2 ) 。
该PIC16F7X7振荡器的设计要求使用的
平行切割的晶体。使用顺序切割的晶体,可能会使
频率超出晶体制造商
特定连接的阳离子。
图4-1:
振的工作原理
( HS , XT或LP振荡器
配置)
OSC1
PIC16F7X7
C1
(1)
XTAL
OSC2
C2
(1)
R
S
(2)
R
F
(3)
睡觉
与内部
逻辑
注1 :
请参见表4-1 C1和C2的典型值。
2:
一个串联电阻(R
S
) ,可能需要对于AT
条形切割的晶体。
3:
R
F
与所选择的晶体变化(通常
在2MΩ到10 MΩ ) 。
2004年Microchip的科技公司
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