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PIC16F876-04/SO 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PIC16F876-04/SO
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内容描述: 40分之28引脚8位CMOS闪存微控制器 [28/40-pin 8-Bit CMOS FLASH Microcontrollers]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 200 页 / 3544 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC16F87X
15.1
DC特性:
PIC16F873 / 876分之874 / 877-04 (商业,工业)
PIC16F873 / 876分之874 / 877-20 (商业,工业)
标准工作条件(除非另有说明)
工作温度-40 ° C≤牛逼
A
+ 85℃的工业和
0°C
T
A
+ 70°C的商业
符号
V
DD
4.0
4.5
V
BOR
*
D002*
D003
RAM数据保持
电压(注1 )
V
DR
-
-
典型值†最大值单位
-
-
-
1.5
V
SS
5.5
5.5
5.5
-
-
V
V
V
V
V
参见上电复位的细节部分
条件
XT , RC和LP振荡器CON组fi guration
HS振荡器配置
BOR启用,最大频率= 14MHz (注7 )
DC特性
PARAM
特征
D001电源电压
D001A
V
DD
启动电压
V
POR
确保内部上电
RESET信号
V
DD
上升速率,以确保
内部上电复位
信号
欠压复位电压
SV
DD
D004*
0.05
-
-
V / ms详见上电复位的详细信息
D005
D010
V
BOR
3.7
-
4.0
1.6
4.35
4
V
mA
在启用CON组fi guration字的BODEN位
XT , RC振荡器CON组fi guration
F
OSC
= 4兆赫,V
DD
= 5.5V (注4 )
HS振荡器配置
F
OSC
= 20MHz时, V
DD
= 5.5V
BOR启用V
DD
= 5.0V
V
DD
= 4.0V ,能WDT , -40 ° C至+ 85°C
V
DD
= 4.0V ,禁止WDT , -0 ° C至+ 70°C
V
DD
= 4.0V ,禁止WDT , -40 ° C至+ 85°C
BOR启用V
DD
= 5.0V
电源电流(注2,5 )I
DD
D013
D015*
欠压复位电流
(注6 )
∆I
BOR
I
PD
-
-
-
-
-
-
7
85
10.5
1.5
1.5
85
15
200
42
16
19
200
mA
µA
µA
µA
µA
µA
D020掉电电流
D021 (注3,5)
D021A
D023*
欠压复位电流
(注6 )
∆I
BOR
注: *这些参数为特性值,但未经测试。
†数据在"Typ"柱都是在5V ,25°C ,除非另有说明。这些参数仅供设计参考
只是,未经测试。
注1 :
这是极限到V
DD
可以在不丢失RAM数据被降低。
2:
供电电流主要是由工作电压和频率的函数。其他因素,如I / O引脚
负载和开关速率,振荡器类型,内部代码执行模式和温度也有一个
对电流消耗的影响。
的测试条件为所有的I
DD
在正常工作模式下测量:
OSC1 =外部方波,轨到轨;所有I / O引脚均为三态,上拉至V
DD
MCLR = V
DD
; WDT使能/禁止规定。
3:
在休眠模式下的掉电电流并不取决于振荡器的类型。掉电电流为
在器件处于休眠模式下测得的,所有I / O引脚处于高阻状态并接至V
DD
和V
SS
.
4:
对于RC振荡器CON连接的配置中,电流流经REXT不包括在内。电流通过电阻器可以估算
由公式Ir = V交配
DD
/ 2REXT ( mA)的REXT的单位是欧姆。
5:
Timer1振荡器(使能时)增加了约20
µA
到特定网络阳离子。此值是从character-
化,仅供设计参考。这不是测试。
6:
当前是当该外设使能消耗的额外电流。此电流应
加入到基础我
DD
还是我
PD
测量。
7:
BOR使能时,该设备将正常运行,直到V
BOR
电压跳变点到达。
DS30292B第154页
©
1999 Microchip的技术公司