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PIC16C58B-04/P 参数 Datasheet PDF下载

PIC16C58B-04/P图片预览
型号: PIC16C58B-04/P
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内容描述: 基于ROM的8位CMOS微控制器系列 [ROM-Based 8-Bit CMOS Microcontroller Series]
分类和应用: 微控制器
文件页数/大小: 84 页 / 641 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC16CR54C
4.3
状态寄存器
该寄存器包含ALU的算术运算状态,
复位状态,并在页面预选位
程序存储器大于512个字。
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令,与任何其他寄存器。如果STATUS
寄存器作为目标的影响的指令
的Z, DC或C位,那么写这三位是
禁用。这些位根据设置或清除
该器件的逻辑。此外,TO和PD位
不写。同的指令。因此,其结果
状态寄存器作为目标可能会有所不同
比预期的。
例如,
CLRF STATUS
将清零高3
位,并将Z位。这将使状态寄存器
as
000u u1uu
(其中
u
=不变) 。
建议的,因此,只
BCF , BSF
MOVWF
指令来改变STATUS
注册,因为这些指令不会影响到Z,
从状态寄存器DC或C位。对于其他
说明,这不影响状态位,看
第8.0节,指令集汇总。
图4-3:
R/W-0
PA2
bit7
第7位:
状态寄存器(地址: 03H )
R/W-0
PA0
5
R-1
TO
4
R-1
PD
3
R / W -X
Z
2
R / W -X
DC
1
R / W -X
C
bit0
R/W-0
PA1
6
R =可读位
W =可写位
- n =上电复位值
PA2 :
该位未使用,在这个时候。
使用PA2位作为通用读/写位不建议,因为这可能会影响上升
兼容未来的产品。
不适用
要:
超时位
1 =上电后,
CLRWDT
指令,或
睡觉
指令
0 =发生了WDT超时
PD :
掉电位
1 =在上电或由
CLRWDT
指令
0 =执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1 =算术运算或逻辑运算的结果是零
0 =算术运算或逻辑运算的结果不为零
DC :
进位/借位(为
ADDWF
SUBWF
说明)
ADDWF
1 =结果的发生的第4低位进位
0 =未发生结果的第4低位进位
SUBWF
1 =借用的结果的第4低位未发生
0 = A借用发生结果的第4低位
C:
进位/借位(为
ADDWF , SUBWF
RRF , RLF
说明)
ADDWF
SUBWF
1 =发生了进
1 =未发生借
0 =未发生进
0 =发生了借位
RRF和RLF
负载位与最低位或最高位,分别为
位6-5 :
位4:
位3:
位2:
位1 :
位0:
©
1998年Microchip的科技公司
初步
DS40191A第15页