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PIC16F628-04I/SO 参数 Datasheet PDF下载

PIC16F628-04I/SO图片预览
型号: PIC16F628-04I/SO
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内容描述: 基于闪存的8位CMOS微控制器 [FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers]
分类和应用: 闪存微控制器和处理器外围集成电路光电二极管PC时钟
文件页数/大小: 160 页 / 1657 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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PIC16F62X
13.0
数据EEPROM存储器
EEPROM数据存储器是可读可写的
在正常操作期间(整个V
DD
范围内)。此内存
不直接映射到寄存器连接文件的空间。代替
它是通过特殊功能间接寻址
寄存器。有两个用于读写四个SFR
此内存。这些寄存器是:
EECON1
EECON2 (不是实际存在的寄存器)
EEDATA
EEADR
EEPROM数据存储器允许字节读写。
字节写操作会自动擦除的位置和
写入新数据(在写入前擦除) 。该EEPROM
数据存储器具有高擦/写周期。该
写入时间由片上定时器控制。将写
时间将随电压和温度的变化以及
从芯片到芯片中。请参阅交流特定网络连接的阳离子为
具体限制。
当器件被代码保护时,CPU可
继续读写数据EEPROM存储器。
该器件编程器将不再能访问
此内存。
关于数据EEPROM的更多信息可用
能PICmicro单片机™中档参考手册,
(DS33023).
EEDATA存放8位数据进行读/写,和EEADR
持有的EEPROM存储单元的地址为
访问。 PIC16F62X器件具有128个字节的数据
EEPROM,地址范围从0h至7Fh 。
寄存器13-1 : EEADR寄存器(地址部9Bh )
U
bit7
读/写
EADR6
读/写
EADR5
读/写
EADR4
读/写
EADR3
读/写
EADR2
读/写
EADR1
读/写
EADR0
bit0
R =可读位
W =可写位
S =置1位
U =未实现位,读
为'0'
上电复位-N =价值
第7位
位6 : 0
未实现地址:
必须设置为“0”
EEADR :
指定位置128 EEPROM读1 /写操作
13.1
EEADR
EEADR寄存器可以处理最多的
256字节的数据EEPROM 。仅在第128个字节的
数据EEPROM来实现,只有七个
8位寄存器( EEADR<6 : 0> )是必需的。
上部位是解码地址。这意味着
该位总是为“0” ,以确保该地址
是在128个字节的存储空间。
©
1999 Microchip的技术公司
初步
DS40300B第91页