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     功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，70 A，33 mΩ，TO-247
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    PSMN1R1-40BS

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    0 NEXPERIA

    GCM31MR72A154JA37#

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    GRM0225C1C7R4BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GCM21BC71E475KE36#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
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    GRM033R11C121MA01#

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    GRM1551X1HR90WA01#

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    GQM0335C2D4R5WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    30-FT07NIB200S502-LE04F58

     High speed and smooth switching;Low gate charge;Very low collector emitter saturation voltage
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    GRT155R60G475ME13#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    GCJ216R71E561MA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    IPF010N06NF2S

     Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V features lowest RDS(on) of 1.05 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.
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