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PIC12C671-04E/SM 参数 Datasheet PDF下载

PIC12C671-04E/SM图片预览
型号: PIC12C671-04E/SM
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内容描述: EPROM存储器编程规范 [EPROM Memory Programming Specification]
分类和应用: 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器
文件页数/大小: 14 页 / 177 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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EPROM存储器编程规范
4.0
编程/校验模式电气特性
AC / DC特性
时序要求编程/校验测试模式
表4-1:
标准工作条件
工作温度: + 10°C
T
A
+ 40℃,除非另有说明, (25℃ ,推荐)
工作电压:
4.5V
V
DD
5.5V ,除非另有说明。
参数
一般
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD9
PD8
V
DDP
电源电压编程过程中
I
DDP
电源电流(从V
DD
)
在编程过程中
V
DD
12.75
V
DD
+ 4.0
4.75
5.0
5.25
20
V
DD
最大
13.25
13.5
50
0.8 V
DD
0.2 V
DD
mA
V
V
施密特触发器输入
施密特触发器输入
V
mA
V
V
注1
注2
符号。
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
DDV
电源电压在验证
V
IHH
1电压对MCLR / V
PP
程序设计
V
IHH
2电压对MCLR / V
PP
在验证
I
PP
V
IH
1
V
IL
1
编程电源电流(从
V
PP
)
( GP0 , GP1 )输入高电平
( GP0 , GP1 )输入低电平
串行程序验证
P1
P2
P3
P4
P5
T
R
Tf
MCLR / V
PP
上升时间(V
SS
到V
IHH
)
测试模式进入
MCLR下降时间
100
100
1.0
8.0
8.0
µs
µs
ns
ns
µs
Tset1数据在时钟前准备时间
Thld1数据在时钟后保持时间
TDLY1输入数据不被驱动到下一个时钟
所需的COM之间的输入(延迟
命令/数据或命令/命令)
时钟之间Tdly2延迟
时钟
of
下一个命令或数据
Tdly3时钟
到数据输出有效
(在读数据)
Thld0 V后保持时间
DD
T
PPDP
V后保持时间
PP
P6
P7
P8
P9
1.0
200
2
5
µs
ns
µs
µs
注1 :程序必须进行校验音响编在最小和最大V
DD
限制的部分。
注2 : V
IHH
必须大于V
DD
+ 4.5V留在编程/校验模式。
©
1998年Microchip的科技公司
DS40175A第11页