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    MCP73831T-2ACI/OT 参数 Datasheet PDF下载

    MCP73831T-2ACI/OT图片预览
    型号： MCP73831T-2ACI/OT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 微型单细胞，完全集成的锂离子电池，锂聚合物充电管理控制器 [Miniature Single-Cell, Fully Integrated Li-Ion, Li-Polymer Charge Management Controllers]
    分类和应用： 电池控制器
    文件页数/大小： 24 页 / 679 K
    品牌： MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
     浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MCP73831T-2ACI/OT的Datasheet PDF文件第9页  
    MCP73831/2
    直流特性（续）
    电气连接特定的阳离子：
    除非另有说明，所有参数适用于V
    DD
    = [V
    REG
    （典型值） + 0.3V ]至6V ，T
    A
    = -40 ° C至+ 85°C 。
    典型值为+ 25 ° C，V
    DD
    = [V
    REG
    （典型值） + 1.0V ]
    参数
    符号。
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    条件
    预充电流调节（涓流充电恒流模式）
    前提电流
    比
    I
    PREG
    / I
    REG
    7.5
    15
    30
    —
    前提电压
    阈值比
    前提条件滞后
    充电终止
    充电终止
    流动比率
    I
    TERM
    / I
    REG
    3.75
    5.6
    7.5
    15
    自动充值
    充电电压
    阈值比
    V
    RTH
    / V
    REG
    91.5
    94
    R
    DSON
    I
    放电
    —
    —
    —
    —
    —
    状态指示灯 - STAT
    灌电流
    低输出电压
    源出电流
    高输出电压
    输入漏电流
    PROG输入
    充电阻抗
    范围
    最小关断
    阻抗
    自动断电
    自动断电
    准入门槛
    自动断电
    退出门槛
    热关断
    模温机
    模温机
    迟滞
    注1 ：
    T
    SD
    T
    SDHYS
    —
    —
    150
    10
    —
    —
    °C
    °C
    V
    PDENTER
    V
    PDEXIT
    V
    DD
    < （V
    BAT
    +20mV)
    —
    V
    DD
    < （V
    BAT
    +50mV)
    V
    DD
    < （V
    BAT
    +150mV)
    —
    V
    DD
    < （V
    BAT
    +200mV)
    3.5V
    ≤
    V
    BAT
    ≤
    V
    REG
    V
    DD
    落下
    3.5V
    ≤
    V
    BAT
    ≤
    V
    REG
    V
    DD
    升起
    R
    PROG
    R
    PROG
    2
    70
    —
    —
    20
    200
    kΩ
    kΩ
    I
    SINK
    V
    OL
    I
    来源
    V
    OH
    I
    LK
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    0.4
    —
    V
    DD
    -0.4
    0.03
    25
    1
    35
    V
    DD
    - 1
    1
    mA
    V
    mA
    V
    μA
    I
    来源
    = 4 MA（ MCP73831 ）
    高阻抗
    I
    SINK
    = 4毫安
    94.0
    96.5
    350
    0.15
    0.25
    0.15
    -5.5
    96.5
    99
    —
    2
    2
    2
    -15
    %
    %
    mΩ
    μA
    μA
    μA
    μA
    V
    BAT
    HIGH到LOW
    V
    BAT
    HIGH到LOW
    V
    DD
    = 3.75V ，T
    J
    = 105°C
    PROG浮动
    V
    DD
    漂浮的
    V
    DD
    ＆ LT ; V
    停止
    充电完成
    5
    7.5
    10
    20
    6.25
    9.4
    12.5
    25
    %
    %
    %
    %
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    T
    A
    = -5 ° C至+ 55°C
    V
    PTH
    / V
    REG
    V
    物理层
    64
    69
    —
    10
    20
    40
    100
    66.5
    71.5
    110
    12.5
    25
    50
    —
    69
    74
    —
    %
    %
    %
    %
    %
    %
    mV
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    PROG = 2.0 kΩ至10 kΩ的
    无预处理
    T
    A
    = -5 ° C至+ 55°C
    V
    BAT
    低到高
    V
    BAT
    低到高
    V
    BAT
    HIGH到LOW
    通晶体管的导通电阻
    导通电阻
    电池的放电电流
    输出反向漏
    当前
    未经生产测试。由设计保证。
    DS21984B第4页
    ©
    2006年Microchip的科技公司

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