MCP6021/1R/2/3/4
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
130
直流开环增益（dB ）
直流开环增益（dB ）
V
DD
= 5.5V
120
110
V
DD
= 2.5V
100
90
80
100
1.E+02
120
115
110
105
100
95
90
1.E+03
1.E+04
1.E+05
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 2.5V
1k
10k
负载电阻（ Ω ）
100k
-50
-25
0
25
50
75
100
环境温度（ ℃）
125
图2-19：
负载电阻。
120
直流开环增益（dB ）
直流开环增益与
图2-22 ：
温度。
14
增益带宽积
（兆赫）
直流开环增益与
105
90
75
60
相位裕量，G = 1
45
30
V
DD
= 5.0V
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
共模输入电压（ V）
15
0
相位裕量，G = 1 （ ° ）
增益带宽积
V
CM
= V
DD
/2
110
V
DD
= 5.5V
100
90
80
70
0.00
V
DD
= 2.5V
12
10
8
6
4
2
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
输出电压余量（ V） ;
V
DD
- V
OH
或V
OL
- V
SS
图2-20 ：
小信号直流开环
增益与输出电压余量。
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-50
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
125
图2-23 ：
增益带宽积，
相位裕度 - 共模输入电压。
14
增益带宽积
（兆赫）
105
增益带宽积
90
75
相位裕量，G = 1
60
45
30
V
DD
= 5.0V
V
CM
= V
DD
/2
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
输出电压（V）
15
0
相位裕量，G = 1 （ ° ）
增益带宽积
（兆赫）
相位裕量，G = 1 （ ° ）
12
10
8
6
4
2
0
增益带宽积，V
DD
= 5.5V
增益带宽积，V
DD
= 2.5V
下午，
V
DD
= 2.5V
下午，
V
DD
= 5.5V
-25
0
25
50
75 100
环境温度（ ℃）
图2-21 ：
增益带宽积，
相位裕度与温度的关系。
图2-24 ：
增益带宽积，
相位裕量与输出电压。
DS21685C第8页
©
2006年Microchip的科技公司
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
