MCP6021/1R/2/3/4
4.0
应用信息
4.2
轨到轨输出
在MCP6021 / 1R / 2 /3/4系列运算放大器
制造在国家的最先进的Microchip的CMOS
流程。他们是单位增益稳定，适合
广泛的通用应用程序。
最大输出电压摆幅最大
在一个特定的输出负载摆动可能。
根据本说明书中的表，所述输出可以
在任一电源轨时20毫伏达到
R
L
= 10 kΩ的。参见图2-31和图2-34为多
关于典型的性能信息。
4.1
轨到轨输入
在MCP6021 / 1R / 2/3/ 4系列放大器的设计
没有相位反转当输入引脚电压超过
的电源电压。图2-27显示了一个输入电压
年龄超过两个电源，没有造成相
反转。
在MCP6021 / 1R / 2/3/ 4系列的输入级
设备采用两个并联的差分输入级;
一个工作在低共模输入电压
(V
CM
），而另一个工作在高V
CM
。与此
拓扑结构，该器件采用V
CM
高达0.3V过去
任一电源轨（V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V ） ，在+ 25°C 。
放大器的输入端的线性特性，只要V
CM
is
保持在规定范围内V
CMR
极限。输入偏移
电压的测量是在两个V
CM
= V
SS
- 0.3V和
V
DD
+ 0.3V ，以确保其正常工作。
输入电压超出输入电压范围
(V
CMR
）可能会导致过量的电流流入或流出的
输入引脚。电流超过±2 mA介绍
可能的可靠性问题。因此，应用程序
超过这个等级必须从外部限制输入电流
具有输入电阻器（R
IN
） ，如图4-1所示。
4.3
容性负载
驱动较大的容性负载会使稳定
问题电压反馈运算放大器。作为负载
电容增大时，反馈环路的相位
余量减小，并且闭环带宽是
减少。这将产生增益尖峰频率
对此，有过冲和振铃的步骤
反应。
当用这些运来驱动大电容负载
安培（如> 60 pF的，当G = 1 ） ，小编
在输出电阻器（R
ISO
在图4-2）提高
反馈回路的相位容限（稳定性）通过使
负载电阻在较高的频率。的带宽将
一般比带宽不低于
容性负载。
V
IN
MCP602X
R
ISO
V
OUT
C
L
R
IN
V
IN
MCP602X
V
OUT
图4-2：
输出电阻R
ISO
稳定大容性负载。
图4-3给出了建议ř
ISO
值
不同的容性负载和增益。 x轴是
归一化负载电容（C
L
/G
N
） ，其中G
N
为
电路的噪声增益。对于同相增益，G
N
和
信号增益是相等的。对于反相增益，G
N
is
1+ |信号增益| （例如， -1 V / V给人摹
N
= +2 V/V).
1,000
推荐的ř
ISO
(
Ω
)
G
N
≥
+1
R
IN
≥
R
IN
≥
（最大期望
V
IN
) -
V
DD
2毫安
V
SS
- （最低预期
V
IN
)
2毫安
图4-1：
到一个输入引脚。
R
IN
限制了电流流
总谐波失真加噪声（ THD + N）可
受共模输入电压（V
CM
） 。如
在图2-3和图2-6所示，输入偏移
电压（V
OS
）受从所述NMOS的变化
到PMOS输入差分对。这种变化在V
OS
会增加畸变，如果输入电压包括
该过渡区域。之间发生这种转变
V
DD
= 1.0V和V
DD
- 2.0V ，根据V
DD
和
温度。
100
10
10
100
1,000
10,000
归一化电容; ç
L
/G
N
（PF ）
图4-3：
推荐的ř
ISO
值
对于容性负载。
©
2006年Microchip的科技公司
DS21685C第13页
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